
SIS407DN-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SIS407DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIS407DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIS407DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIS407DN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 20V 25A PPAK1212-8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 38 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 20 V 25 A (Tc) 3,6W (Ta), 33W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIS407DN-T1-GE3 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 1V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 93.8 nC @ 8 V |
Serie | Vgs (max) ±8V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2760 pF @ 10 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 3,6W (Ta), 33W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 20 V | Contenitore del fornitore PowerPAK® 1212-8 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,8V, 4,5V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 9,5mohm a 15,3A, 4,5V |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.28000 | Fr. 1.28 |
| 10 | Fr. 0.80600 | Fr. 8.06 |
| 100 | Fr. 0.53690 | Fr. 53.69 |
| 500 | Fr. 0.42134 | Fr. 210.67 |
| 1’000 | Fr. 0.38416 | Fr. 384.16 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.33694 | Fr. 1’010.82 |
| 6’000 | Fr. 0.31317 | Fr. 1’879.02 |
| 9’000 | Fr. 0.30107 | Fr. 2’709.63 |
| 15’000 | Fr. 0.28747 | Fr. 4’312.05 |
| 21’000 | Fr. 0.28239 | Fr. 5’930.19 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.28000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.38368 |









