
SISF04DN-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | 742-SISF04DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SISF04DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SISF04DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SISF04DN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 30A PWRPAK1212 |
Tempi di consegna standard del produttore | 55 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 30V 30A (Ta), 108A (Tc) 5,2W (Ta), 69,4W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8SCD |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SISF04DN-T1-GE3 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 2,3V a 250µA |
Produttore Vishay Siliconix | Carica del gate (Qg) max a Vgs 60nC a 10V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2600pF a 15V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Potenza - Max 5,2W (Ta), 69,4W (Tc) |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Configurazione Drain comune a 2 canali N (duale) | Contenitore/involucro PowerPAK® 1212-8SCD |
Tensione drain/source (Vdss) 30V | Contenitore del fornitore PowerPAK® 1212-8SCD |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 30A (Ta), 108A (Tc) | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 4mohm a 7A, 10V |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.68000 | Fr. 1.68 |
| 10 | Fr. 1.07500 | Fr. 10.75 |
| 100 | Fr. 0.72640 | Fr. 72.64 |
| 500 | Fr. 0.57716 | Fr. 288.58 |
| 1’000 | Fr. 0.52916 | Fr. 529.16 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.46823 | Fr. 1’404.69 |
| 6’000 | Fr. 0.43757 | Fr. 2’625.42 |
| 9’000 | Fr. 0.42196 | Fr. 3’797.64 |
| 15’000 | Fr. 0.41472 | Fr. 6’220.80 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.68000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.81608 |











