
SISS67DN-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SISS67DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SISS67DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SISS67DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SISS67DN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 30V 60A PPAK1212-8S |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 30 V 60 A (Tc) 65,8W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8S |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 111 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±25V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4380 pF @ 15 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 65,8W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 30 V | Contenitore del fornitore PowerPAK® 1212-8S |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 5,5mohm a 15A, 10V |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.53000 | Fr. 1.53 |
| 10 | Fr. 0.97700 | Fr. 9.77 |
| 100 | Fr. 0.65660 | Fr. 65.66 |
| 500 | Fr. 0.51958 | Fr. 259.79 |
| 1’000 | Fr. 0.47548 | Fr. 475.48 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.41950 | Fr. 1’258.50 |
| 6’000 | Fr. 0.39133 | Fr. 2’347.98 |
| 9’000 | Fr. 0.37699 | Fr. 3’392.91 |
| 15’000 | Fr. 0.36496 | Fr. 5’474.40 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.53000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.65393 |


