SIZ902DT-T1-GE3
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SIZ902DT-T1-GE3

Codice DigiKey
SIZ902DT-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SIZ902DT-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SIZ902DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
SIZ902DT-T1-GE3
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR
Tempi di consegna standard del produttore
24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 30V 16A 29W, 66W A montaggio superficiale 8-PowerPair® (6x5)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali N (semiponte)
Funzione FET
Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)
30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
16A
RDSon (max) a Id, Vgs
12mohm a 13,8A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
21nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
790pF a 15V
Potenza - Max
29W, 66W
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
8-PowerWDFN
Contenitore del fornitore
8-PowerPair® (6x5)
Codice componente base
SIZ902
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In magazzino: 1’922
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 1.62000Fr. 1.62
10Fr. 1.03900Fr. 10.39
100Fr. 0.70250Fr. 70.25
500Fr. 0.55834Fr. 279.17
1’000Fr. 0.52632Fr. 526.32
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 0.45312Fr. 1’359.36
6’000Fr. 0.43000Fr. 2’580.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.62000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.75122