Name: SIZ904DT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIZ904DT-T1-GE3TR-ND
Price: 0.39836 CHF
Availability: OutOfStock

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Vishay Siliconix

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SIZ904DT-T1-GE3
Codice DigiKey	SIZ904DT-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIZ904DT-T1-GE3
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 12A 6POWERPAIR
Tempi di consegna standard del produttore	24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 12A, 16A 20W, 33W A montaggio superficiale 6-PowerPair™
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	2 canali N (semiponte)
Funzione FET	Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)	30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	12A, 16A
RDSon (max) a Id, Vgs	24mohm a 7,8A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	12nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	435pF a 15V
Potenza - Max	20W, 33W
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	6-PowerPair™
Contenitore del fornitore	6-PowerPair™
Codice componente base	SIZ904

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Nastrato in bobina (TR)