SIZ902DT-T1-GE3
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SIZ918DT-T1-GE3

Codice DigiKey
SIZ918DT-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SIZ918DT-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SIZ918DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
SIZ918DT-T1-GE3
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR
Tempi di consegna standard del produttore
24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 30V 16 A, 28 A 29W, 100W A montaggio superficiale 8-PowerPair® (6x5)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SIZ918DT-T1-GE3 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali N (semiponte)
Funzione FET
Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)
30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
16 A, 28 A
RDSon (max) a Id, Vgs
12mohm a 13,8A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
21nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
790pF a 15V
Potenza - Max
29W, 100W
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
8-PowerWDFN
Contenitore del fornitore
8-PowerPair® (6x5)
Codice componente base
SIZ918
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In magazzino: 19’573
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 1.96000Fr. 1.96
10Fr. 1.26000Fr. 12.60
100Fr. 0.86070Fr. 86.07
500Fr. 0.68980Fr. 344.90
1’000Fr. 0.67944Fr. 679.44
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 0.55510Fr. 1’665.30
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.96000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 2.11876