Name: SQ2315CES-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQ2315CES-T1_GE3TR-ND
Price: 0.5405 CHF
Availability: InStock

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SQ2315CES-T1_GE3
Codice DigiKey	742-SQ2315CES-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SQ2315CES-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SQ2315CES-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SQ2315CES-T1_GE3
Descrizione	MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
Tempi di consegna standard del produttore	23 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 12 V 5 A (Tc) 2W (Tc) A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SQ2315CES-T1_GE3 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 13 nC @ 4.5 V
Serie TrenchFET®	Vgs (max) ±8V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 870 pF @ 6 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 12 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 5 A (Tc)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,8V, 4,5V	Contenitore del fornitore SOT-23-3 (TO-236)
RDSon (max) a Id, Vgs 50mohm a 3,5A, 4,5V	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Sostituti (1)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
SQ2315ES-T1_BE3	Vishay Siliconix	2’895	742-SQ2315ES-T1_BE3CT-ND	Fr. 0.72000	Equivalente parametrico

In magazzino: 2’940

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.50000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.54050

SQ2315CES-T1_GE3