Name: SQ3457CEV-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQ3457CEV-T1_GE3TR-ND
Price: 0.55131 CHF
Availability: OutOfStock

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SQ3457CEV-T1_GE3
Codice DigiKey	742-SQ3457CEV-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SQ3457CEV-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SQ3457CEV-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SQ3457CEV-T1_GE3
Descrizione	MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP
Tempi di consegna standard del produttore	23 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 6,8 A (Tc) 5W (Tc) A montaggio superficiale 6-TSOP
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 21 nC @ 10 V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 705 pF @ 15 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 5W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 6,8 A (Tc)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore del fornitore 6-TSOP
RDSon (max) a Id, Vgs 65mohm a 6A, 10V	Contenitore/involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
SQ3457EV-T1_BE3	Vishay Siliconix	1’953	742-SQ3457EV-T1_BE3CT-ND	Fr. 0.83000	Equivalente parametrico
SQ3457EV-T1_GE3	Vishay Siliconix	7’573	SQ3457EV-T1_GE3CT-ND	Fr. 0.88000	Equivalente parametrico

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Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.55131

SQ3457CEV-T1_GE3