Name: SQ3460EV-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQ3460EV-T1_GE3TR-ND
Price: 1.39449 CHF
Availability: InStock

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SQ3460EV-T1_GE3
Codice DigiKey	742-SQ3460EV-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SQ3460EV-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SQ3460EV-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SQ3460EV-T1_GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 8 A (Tc) 3,6W (Tc) A montaggio superficiale 6-TSOP
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SQ3460EV-T1_GE3 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 14 nC @ 4.5 V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs (max) ±8V
Serie TrenchFET®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1060 pF @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 3,6W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 8 A (Tc)	Contenitore del fornitore 6-TSOP
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,8V, 4,5V	Contenitore/involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
RDSon (max) a Id, Vgs 30mohm a 5,1 A, 4,5V	Codice componente base SQ3460
Vgs(th) max a Id 1V a 250µA

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In magazzino: 3’606

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Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.29000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.39449

SQ3460EV-T1_GE3