Name: SQ4483EY-T1_BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQ4483EY-T1_BE3TR-ND
Price: 2.03228 CHF
Availability: InStock

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SQ4483EY-T1_BE3
Codice DigiKey	742-SQ4483EY-T1_BE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SQ4483EY-T1_BE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SQ4483EY-T1_BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SQ4483EY-T1_BE3
Descrizione	MOSFET P-CHANNEL 30V 30A 8SOIC
Tempi di consegna standard del produttore	23 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 30 A (Tc) 7W (Tc) A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 113 nC @ 10 V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs (max) ±20V
Serie TrenchFET®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4500 pF @ 15 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 7W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canale P	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 30 A (Tc)	Contenitore del fornitore 8-SOIC
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
RDSon (max) a Id, Vgs 8,5mohm a 10A, 10V	Codice componente base SQ4483
Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA

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Sostituti (1)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
SQ4483EY-T1_GE3	Vishay Siliconix	1’805	SQ4483EY-T1_GE3CT-ND	Fr. 1.88000	Equivalente parametrico

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.88000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 2.03228

SQ4483EY-T1_BE3