Name: SQA410EJ-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQA410EJ-T1_GE3TR-ND
Price: 0.89723 CHF
Availability: InStock

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SQA410EJ-T1_GE3
Codice DigiKey	SQA410EJ-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQA410EJ-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQA410EJ-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SQA410EJ-T1_GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 7.8A PPAK SC70-6
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 7,8 A (Tc) 13,6W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SC-70-6 singolo
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SQA410EJ-T1_GE3 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 8 nC @ 4.5 V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs (max) ±8V
Serie TrenchFET®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 485 pF @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 13,6W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 7,8 A (Tc)	Contenitore del fornitore PowerPAK® SC-70-6 singolo
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,8V, 4,5V	Contenitore/involucro PowerPAK® SC-70-6
RDSon (max) a Id, Vgs 28mohm a 5A, 4,5V	Codice componente base SQA410
Vgs(th) max a Id 1,1V a 250µA

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)