Name: SQD50P04-13L_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQD50P04-13L_GE3TR-ND
Price: 3.51325 CHF
Availability: InStock

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SQD50P04-13L_GE3
Codice DigiKey	SQD50P04-13L_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQD50P04-13L_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQD50P04-13L_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SQD50P04-13L_GE3
Descrizione	MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Tempi di consegna standard del produttore	23 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 40 V 50 A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 90 nC @ 10 V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs (max) ±20V
Serie TrenchFET®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3590 pF @ 20 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 136W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canale P	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 50 A (Tc)	Contenitore del fornitore TO-252AA
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
RDSon (max) a Id, Vgs 13mohm a 17A, 10V	Codice componente base SQD50
Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA

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In magazzino: 2’122

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Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2’000	Fr. 1.06293	Fr. 2’125.86
4’000	Fr. 1.01757	Fr. 4’070.28

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 3.25000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 3.51325

SQD50P04-13L_GE3