Name: SQJ138EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJ138EP-T1_GE3TR-ND
Price: 1.89175 CHF
Availability: InStock

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SQJ138EP-T1_GE3
Codice DigiKey	742-SQJ138EP-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SQJ138EP-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SQJ138EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SQJ138EP-T1_GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 330A PPAK SO-8
Tempi di consegna standard del produttore	37 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 330A (Tc) 312W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SQJ138EP-T1_GE3 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 81 nC @ 10 V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs (max) ±20V
Serie TrenchFET® Gen IV	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4715 pF @ 25 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 312W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 330A (Tc)	Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro PowerPAK® SO-8
RDSon (max) a Id, Vgs 1,8mohm a 15A, 10V	Codice componente base SQJ138
Vgs(th) max a Id 3,5V a 250µA

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Sostituti (1)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
SQJ138EP-T1_BE3	Vishay Siliconix	3’000	742-SQJ138EP-T1_BE3CT-ND	Fr. 1.70000	Equivalente parametrico

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.75000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.89175

SQJ138EP-T1_GE3