SUD19P06-60-BE3 Vishay Siliconix | FET, MOSFET singoli

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SUD19P06-60-BE3
Codice DigiKey	742-SUD19P06-60-BE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SUD19P06-60-BE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SUD19P06-60-BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SUD19P06-60-BE3
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 18.3A DPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 60 V 18,3 A (Tc) 2,3W (Ta), 38,5W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 40 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1710 pF @ 25 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 2,3W (Ta), 38,5W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Contenitore del fornitore TO-252AA
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 18,3 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base SUD19
RDSon (max) a Id, Vgs 60mohm a 10A, 10V

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Sostituti (3)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
SUD19P06-60-E3	Vishay Siliconix	2’461	SUD19P06-60-E3CT-ND	Fr. 1.43000	Equivalente parametrico
SUD19P06-60-GE3	Vishay Siliconix	91’685	SUD19P06-60-GE3CT-ND	Fr. 1.43000	Equivalente parametrico
SUD19P06-60L-E3	Vishay Siliconix	20’578	SUD19P06-60L-E3CT-ND	Fr. 1.55000	Equivalente parametrico

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Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
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Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.34000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.44854

SUD19P06-60-BE3