XP2318GEN YAGEO XSEMI | Prodotti a semiconduttore discreti

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XP2318GEN
Codice DigiKey	5048-XP2318GENTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 5048-XP2318GENCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 5048-XP2318GENDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	YAGEO XSEMI
Codice produttore	XP2318GEN
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 500mA (Ta) 700mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	YAGEO XSEMI
Serie	XP2318
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	500mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	2,5V, 4V
RDSon (max) a Id, Vgs	1,5ohm a 500mA, 4V
Vgs(th) max a Id	1,3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	1.8 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±16V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	48 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	700mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-23
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3