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Alternative Verpackung
  • Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)  : MUN5213DW1T1GOSTR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 3.000
  • Verfügbare Menge: 9.000 - Sofort
  • Stückpreis: 0.03803 Fr.
  • Gurtabschnitt (CT)  : MUN5213DW1T1GOSCT-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 10.219 - Sofort
  • Stückpreis: 0.23000 Fr.
  • Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)  : MUN5213DW1T3G-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 10.000  Nicht auf Lager 
  • Verfügbare Menge: 50.000 - Lagerbestand des Herstellers 
  • Stückpreis: 0.03252 Fr.

MUN5213DW1T1G

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer MUN5213DW1T1GOSDKR-ND
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Hersteller

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Hersteller-Teilenummer MUN5213DW1T1G
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Beschreibung TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
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Standardlieferzeit des Herstellers 8 Wochen
Detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - vorgespannt (zweif.) 50V 100mA 250mW Oberflächenmontage SC-88/SC70-6/SOT-363

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Dokumente & Medien
Datenblätter MUN5213DW1, NSBC144EDxx
RoHS-Informationen Material Declaration MUN5213DW1T1G
PCN-Design/Spezifikation Copper Wire 08/Jun/2009
PCN-Montage/Herkunft Wafer Source Addition 26/Nov/2014
Produkteigenschaften
Typ Beschreibung Alle auswählen
Kategorien
Hersteller ON Semiconductor
Serie -
Verpackung Digi-Reel® 
Status der Komponente Aktiv
Transistor-Typ 2 NPN - vorgespannt (zweif.)
Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) 47kOhm
Widerstand - Emitter Basis (R2) 47kOhm
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 bei 5mA, 10V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic 250mV bei 300µA, 10mA
Strom - Kollektorrest (Ic) (max.) 500nA
Frequenz - Übergang -
Leistung - max. 250mW
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gehäusetyp vom Lieferanten SC-88/SC70-6/SOT-363
Basis der Teilenummer MUN52**DW1T
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Standardpaket 1
Andere Namen MUN5213DW1T1GOSDKR