IRF7329TRPBF MOSFET - Array 2 canali P (doppio) 12V 9,2A 2W A montaggio superficiale 8-SO
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  • Quantità disponibile: 4'000 - Immediatamente
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  • Digi-Reel®  : IRF7329PBFDKR-ND
  • Quantità minima di ordinazione: 1
  • Quantità disponibile: 5'358 - Immediatamente
  • Prezzo unitario: Digi-Reel®

IRF7329TRPBF

Scheda tecnica
Codice Digi-Key IRF7329PBFCT-ND
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Fabbricante

Infineon Technologies

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Codice produttore IRF7329TRPBF
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Descrizione MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC
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Descrizione dettagliata

MOSFET - Array 2 canali P (doppio) 12V 9,2A 2W A montaggio superficiale 8-SO

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Riferimento cliente
Documenti e risorse multimediali
Schede dati IRF7329PbF
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Mult Dev Lot No Format Chg 6/Apr/2018
Scheda tecnica HTML IRF7329PbF
Attributi del prodotto
Tipo Descrizione Seleziona tutto
Categorie
Fabbricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Confezionamento Nastro pre-tagliato (CT) 
Stato componente Attivo
Tipo FET 2 canali P (doppio)
Funzione FET Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss) 12V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 9,2A
RDSon (max) a Id, Vgs 17mohm a 9,2A, 4,5V
Vgs(th) max a Id 900mV a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs 57nC a 4,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3450pF a 10V
Potenza - Max 2W
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Contenitore/involucro 8-SOIC (0,154", 3,90mm di larghezza)
Contenitore del fornitore 8-SO
Codice componente base IRF7329
 
Classificazioni ambientali e di esportazione
Stato RoHS A norma ROHS3
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
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IRF7329PBFCT