IRLZ24NSTRLPBF Canale N 55V 18 A (Tc) 3,8W (Ta), 45W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
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  • Digi-Reel®  : IRLZ24NSTRLPBFDKR-ND
  • Quantità minima di ordinazione: 1
  • Quantità disponibile: 4'815 - Immediatamente
  • Prezzo unitario: Digi-Reel®

IRLZ24NSTRLPBF

Scheda tecnica
Codice Digi-Key IRLZ24NSTRLPBFCT-ND
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Fabbricante

Infineon Technologies

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Codice produttore IRLZ24NSTRLPBF
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Descrizione MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK
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Descrizione dettagliata

Canale N 55V 18 A (Tc) 3,8W (Ta), 45W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK

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Riferimento cliente
Documenti e risorse multimediali
Schede dati IRLZ24NSPbF, IRLZ24NLPbF
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Packaging PCN Packing Material Update 16/Sep/2016
Mult Device Standard Label Chg 29/Sep/2017
Scheda tecnica HTML IRLZ24NSPbF, IRLZ24NLPbF
Modelli di simulazione IRLZ24NS Saber Model
Attributi del prodotto
Tipo Descrizione Seleziona tutto
Categorie
Fabbricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Confezionamento Nastro pre-tagliato (CT) 
Stato componente Attivo
Tipo FET Canale N
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss) 55V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 18 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs 60mohm a 11A, 10V
Vgs(th) max a Id 2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs 15nC @ 5V
Vgs (max) ±16V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 480pF @ 25V
Funzione FET -
Dissipazione di potenza (max) 3,8W (Ta), 45W (Tc)
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore D2PAK
Contenitore/involucro TO-263-3, D²Pak (2 conduttori + linguetta), TO-263AB
Codice componente base IRLZ24
 
Classificazioni ambientali e di esportazione
Stato RoHS A norma ROHS3
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
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