PSMN1R2-30YLC,115 Canale N 30V 100 A (Tc) 215W (Tc) A montaggio superficiale LFPAK56, Power-SO8
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10 1,37700 fr.13,77
100 1,07390 fr.107,39
500 0,88710 fr.443,55

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  • Nastrato in bobina (TR)  : 1727-5295-2-ND
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  • Digi-Reel®  : 1727-5295-6-ND
  • Quantità minima di ordinazione: 1
  • Quantità disponibile: 0
  • Prezzo unitario: Digi-Reel®

PSMN1R2-30YLC,115

Scheda tecnica
Codice Digi-Key 1727-5295-1-ND
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Fabbricante

Nexperia USA Inc.

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Codice produttore PSMN1R2-30YLC,115
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Descrizione MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
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Descrizione dettagliata

Canale N 30V 100 A (Tc) 215W (Tc) A montaggio superficiale LFPAK56, Power-SO8

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Riferimento cliente
Documenti e risorse multimediali
Schede dati PSMN1R2-30YLC
Assemblaggio/origine PCN Leadframe Supplier Add 13/Jun/2016
Packaging PCN Pack/Label Update 30/Nov/2016
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020
Scheda tecnica HTML PSMN1R2-30YLC
Attributi del prodotto
Tipo Descrizione Seleziona tutto
Categorie
Fabbricante Nexperia USA Inc.
Serie -
Confezionamento Nastro pre-tagliato (CT) 
Stato componente Attivo
Tipo FET Canale N
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss) 30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 100 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs 1,25mohm a 25A, 10V
Vgs(th) max a Id 1,95V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs 78nC @ 10V
Vgs (max) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 5093pF @ 15V
Funzione FET -
Dissipazione di potenza (max) 215W (Tc)
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore LFPAK56, Power-SO8
Contenitore/involucro SC-100, SOT-669
Codice componente base PSMN1R2
 
Classificazioni ambientali e di esportazione
Stato RoHS A norma ROHS3
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
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