FDC8602 MOSFET - Array 2 canali N (doppio) 100V 1,2A 690mW A montaggio superficiale SuperSOT™-6
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Dettaglio prezzi Prezzo unitario Prezzo totale
1 1,40000 fr.1,40
10 1,24700 fr.12,47
100 0,97190 fr.97,19
500 0,80294 fr.401,47
1'000 0,67232 fr.672,32

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Prezzo unitario
fr.1,40000

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fr.1,50780

IVA inclusa

Contenitore alternativo
  • Nastrato in bobina (TR)  : FDC8602TR-ND
  • Quantità minima di ordinazione: 3'000
  • Quantità disponibile: 21'000 - Immediatamente
  • Prezzo unitario: fr.0,67232
  • Digi-Reel®  : FDC8602DKR-ND
  • Quantità minima di ordinazione: 1
  • Quantità disponibile: 22'391 - Immediatamente
  • Prezzo unitario: Digi-Reel®
Codice Digi-Key FDC8602CT-ND
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Fabbricante

onsemi

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Codice produttore FDC8602
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Descrizione MOSFET 2N-CH 100V 1.2A 6-SSOT
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Descrizione dettagliata

MOSFET - Array 2 canali N (doppio) 100V 1,2A 690mW A montaggio superficiale SuperSOT™-6

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Riferimento cliente
Documenti e risorse multimediali
Schede dati FDC8602
Informazioni sulla direttiva RoHS Material Declaration FDC8602
onsemi RoHS3
Progettazione/specifica PCN Logo 17/Aug/2017
Assemblaggio/origine PCN Mult Dev Assembly 23/Apr/2020
Packaging PCN Binary Year Code Marking 15/Jan/2014
Mult Devices 24/Oct/2017
Attributi del prodotto
Tipo Descrizione Seleziona tutto
Categorie
Fabbricante onsemi
Serie PowerTrench®
Confezionamento Nastro pre-tagliato (CT) 
Stato componente Attivo
Tipo FET 2 canali N (doppio)
Funzione FET Standard
Tensione drain/source (Vdss) 100V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 1,2A
RDSon (max) a Id, Vgs 350mohm a 1,2 A, 10V
Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs 2nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 70pF a 50V
Potenza - Max 690mW
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Contenitore/involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Contenitore del fornitore SuperSOT™-6
Codice componente base FDC8602
 
Classificazioni ambientali e di esportazione
Stato RoHS A norma ROHS3
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
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