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Dettaglio prezzi Prezzo unitario Prezzo totale
1 1,49000 fr.1,49
10 1,32700 fr.13,27
100 1,03480 fr.103,48
500 0,85484 fr.427,42
1'000 0,67487 fr.674,87

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  • Quantità minima di ordinazione: 3'000
  • Quantità disponibile: 6'000 - Immediatamente
  • Prezzo unitario: fr.0,67487
  • Digi-Reel®  : SI3440DV-T1-GE3DKR-ND
  • Quantità minima di ordinazione: 1
  • Quantità disponibile: 6'737 - Immediatamente
  • Prezzo unitario: Digi-Reel®

SI3440DV-T1-GE3

Scheda tecnica
Codice Digi-Key SI3440DV-T1-GE3CT-ND
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Fabbricante

Vishay Siliconix

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Codice produttore SI3440DV-T1-GE3
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Descrizione MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP
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Descrizione dettagliata

Canale N 150V 1,2 A (Ta) 1,14W (Ta) A montaggio superficiale 6-TSOP

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Riferimento cliente
Documenti e risorse multimediali
Schede dati SI3440DV
Progettazione/specifica PCN Mult Dev Material Chgs 13/Jan/2019
Scheda tecnica HTML SI3440DV
Attributi del prodotto
Tipo Descrizione Seleziona tutto
Categorie
Fabbricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Confezionamento Nastro pre-tagliato (CT) 
Stato componente Attivo
Tipo FET Canale N
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss) 150V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 1,2 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs 375mohm a 1,5A, 10V
Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs 8nC @ 10V
Vgs (max) ±20V
Funzione FET -
Dissipazione di potenza (max) 1,14W (Ta)
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore 6-TSOP
Contenitore/involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Codice componente base SI3440
 
Classificazioni ambientali e di esportazione
Stato RoHS A norma ROHS3
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
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