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10 1,34900 fr.13,49
100 1,05160 fr.105,16
500 0,86864 fr.434,32
1'000 0,68576 fr.685,76

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  • Nastrato in bobina (TR)  : SI4463BDY-T1-E3TR-ND
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  • Quantità disponibile: 17'500 - Immediatamente
  • Prezzo unitario: fr.0,68577
  • Digi-Reel®  : SI4463BDY-T1-E3DKR-ND
  • Quantità minima di ordinazione: 1
  • Quantità disponibile: 18'598 - Immediatamente
  • Prezzo unitario: Digi-Reel®

SI4463BDY-T1-E3

Scheda tecnica
Codice Digi-Key SI4463BDY-T1-E3CT-ND
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Fabbricante

Vishay Siliconix

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Codice produttore SI4463BDY-T1-E3
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Descrizione MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SO
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Tempi di consegna standard del produttore 52 settimane
Descrizione dettagliata

Canale P 20V 9,8 A (Ta) 1,5W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC

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Schede dati SI4463BDY
Scheda tecnica HTML SI4463BDY
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Categorie
Fabbricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Confezionamento Nastro pre-tagliato (CT) 
Stato componente Attivo
Tipo FET Canale P
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss) 20V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 9,8 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 2,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs 11mohm a 13,7A, 10V
Vgs(th) max a Id 1,4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs 56nC @ 4,5V
Vgs (max) ±12V
Funzione FET -
Dissipazione di potenza (max) 1,5W (Ta)
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore 8-SOIC
Contenitore/involucro 8-SOIC (0,154", 3,90mm di larghezza)
Codice componente base SI4463
 
Classificazioni ambientali e di esportazione
Stato RoHS A norma ROHS3
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
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