Produktverzeichnis > Diskrete Halbleiterprodukte > Transistoren - FETs, MOSFET - HF

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MMBFJ310LT1G Datasheet MMBFJ310LT1G - ON Semiconductor MMBFJ310LT1GOSTR-ND RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23 51.000 - Sofort
501.000 - Lagerbestand des Herstellers ?
Verfügbar: 51.000
0.14299 Fr. 3.000 Minimum : 3.000 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)?
wechselnde Verpackungseinheit
-
Aktiv N-Kanal JFET
-
12 dB 10V 60mA
-
10mA
-
25V TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
MMBFJ310LT1G Datasheet MMBFJ310LT1G - ON Semiconductor MMBFJ310LT1GOSCT-ND RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23 52.998 - Sofort
501.000 - Lagerbestand des Herstellers ?
Verfügbar: 52.998
0.52000 Fr. 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)?
wechselnde Verpackungseinheit
-
Aktiv N-Kanal JFET
-
12 dB 10V 60mA
-
10mA
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25V TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
MMBFJ310LT1G Datasheet MMBFJ310LT1G - ON Semiconductor MMBFJ310LT1GOSDKR-ND RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23 52.998 - Sofort
501.000 - Lagerbestand des Herstellers ?
Verfügbar: 52.998
Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®?
wechselnde Verpackungseinheit
-
Aktiv N-Kanal JFET
-
12 dB 10V 60mA
-
10mA
-
25V TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
BLP9G0722-20GZ Datasheet BLP9G0722-20GZ - Ampleon USA Inc. 1603-1103-2-ND RF MOSFET LDMOS 28V SOT1482-1 500 - Sofort Verfügbar: 500 13.80878 Fr. 500 Minimum : 500 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)?
wechselnde Verpackungseinheit
-
Aktiv LDMOS 400MHz bis 2,7GHz 19 dB 28V 1,4µA
-
180mA 43 dBm 65V SOT-1483-1 SOT1483-1
BLP9G0722-20GZ Datasheet BLP9G0722-20GZ - Ampleon USA Inc. 1603-1103-1-ND RF MOSFET LDMOS 28V SOT1482-1 835 - Sofort Verfügbar: 835 20.59000 Fr. 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)?
wechselnde Verpackungseinheit
-
Aktiv LDMOS 400MHz bis 2,7GHz 19 dB 28V 1,4µA
-
180mA 43 dBm 65V SOT-1483-1 SOT1483-1
BLP9G0722-20GZ Datasheet BLP9G0722-20GZ - Ampleon USA Inc. 1603-1103-6-ND RF MOSFET LDMOS 28V SOT1482-1 835 - Sofort Verfügbar: 835 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®?
wechselnde Verpackungseinheit
-
Aktiv LDMOS 400MHz bis 2,7GHz 19 dB 28V 1,4µA
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180mA 43 dBm 65V SOT-1483-1 SOT1483-1
NPTB00004A Datasheet NPTB00004A - M/A-Com Technology Solutions 1465-1410-ND HEMT N-CH 28V 5W DC-6GHZ 8SOIC 282 - Sofort Verfügbar: 282 19.55000 Fr. 1 Minimum : 1 Stange?
-
Aktiv HEMT 0 Hz bis 6 GHz 14,8 dB 28V 1,4A
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50mA 4W 100V 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite) 8-SOIC
CGH60008D-GP4 Datasheet CGH60008D-GP4 - Cree/Wolfspeed CGH60008D-ND RF MOSFET HEMT 28V DIE 259 - Sofort Verfügbar: 259 19.68500 Fr. 10 Minimum : 10 Tablett? GaN Aktiv HEMT 6GHz 15 dB 28V
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100mA 8W 84V Einsatz Einsatz
PD85025TR-E Datasheet PD85025TR-E - STMicroelectronics 497-12514-2-ND TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF 600 - Sofort Verfügbar: 600 20.68400 Fr. 600 Minimum : 600 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)?
wechselnde Verpackungseinheit
-
Aktiv LDMOS 870MHz 17,3 dB 13,6V 7 A
-
300mA 10W 40V PowerSO-10RF freiliegendes Pad unten (2 geformte Anschlüsse) PowerSO-10RF (geformte Anschlüsse)
BLP10H610AZ Datasheet BLP10H610AZ - Ampleon USA Inc. 568-12809-2-ND RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN 660 - Sofort Verfügbar: 660 21.63417 Fr. 60 Minimum : 60 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)?
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv LDMOS (zweif.), gemeinsame Quelle 860MHz 22 dB 50V
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60mA 10W 104V 12-VDFN mit freiliegendem Pad 12-HVSON (6x5)
BLP10H610AZ Datasheet BLP10H610AZ - Ampleon USA Inc. 568-12809-1-ND RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN 727 - Sofort Verfügbar: 727 25.30000 Fr. 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)?
wechselnde Verpackungseinheit
-
Aktiv LDMOS (zweif.), gemeinsame Quelle 860MHz 22 dB 50V
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60mA 10W 104V 12-VDFN mit freiliegendem Pad 12-HVSON (6x5)
BLP10H610AZ Datasheet BLP10H610AZ - Ampleon USA Inc. 568-12809-6-ND RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN 727 - Sofort Verfügbar: 727 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®?
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv LDMOS (zweif.), gemeinsame Quelle 860MHz 22 dB 50V
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60mA 10W 104V 12-VDFN mit freiliegendem Pad 12-HVSON (6x5)
CGH40006S Datasheet CGH40006S - Cree/Wolfspeed CGH40006STR-ND RF MOSFET HEMT 28V 6QFN-EP 1.000 - Sofort Verfügbar: 1.000 27.20845 Fr. 200 Minimum : 200 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)?
wechselnde Verpackungseinheit
GaN Aktiv HEMT 0 Hz bis 6 GHz 12 dB 28V
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100mA 8W 84V 6-VDFN mit freiliegendem Pad 6-QFN-EP (3x3)
CGH40006S Datasheet CGH40006S - Cree/Wolfspeed CGH40006SCT-ND RF MOSFET HEMT 28V 6QFN-EP 1.010 - Sofort Verfügbar: 1.010 27.70000 Fr. 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)?
wechselnde Verpackungseinheit
GaN Aktiv HEMT 0 Hz bis 6 GHz 12 dB 28V
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100mA 8W 84V 6-VDFN mit freiliegendem Pad 6-QFN-EP (3x3)
CGH40006S Datasheet CGH40006S - Cree/Wolfspeed CGH40006SDKR-ND RF MOSFET HEMT 28V 6QFN-EP 1.010 - Sofort Verfügbar: 1.010 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®?
wechselnde Verpackungseinheit
GaN Aktiv HEMT 0 Hz bis 6 GHz 12 dB 28V
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100mA 8W 84V 6-VDFN mit freiliegendem Pad 6-QFN-EP (3x3)
PD57018-E Datasheet PD57018-E - STMicroelectronics 497-5305-5-ND FET RF 65V 945MHZ PWRSO10 239 - Sofort Verfügbar: 239 32.72000 Fr. 1 Minimum : 1 Stange?
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Aktiv LDMOS 945MHz 16,5 dB 28V 2,5 A
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100mA 18W 65V PowerSO-10 freiliegendes Pad unten 10-PowerSO
IXZ2210N50L2 Datasheet IXZ2210N50L2 - IXYS-RF IXZ2210N50L2-ND RF MOSFET 2 N-CHANNEL DE275 192 - Sofort Verfügbar: 192 36.62000 Fr. 1 Minimum : 1 Stange? Z-MOS™ Aktiv 2 N-Kanal (zweifach) 70MHz 17 dB 100V 10 A
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270W 500V 8-SMD, Flat-Lead Freiliegendes Lötauge
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BLF6G21-10G,135 Datasheet BLF6G21-10G,135 - Ampleon USA Inc. BLF6G21-10G,135-ND RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A 0 Verfügbar: 0
Standardlieferzeit: 13 Wochen
28.59014 Fr. 500
Nicht auf Lager
?
Minimum : 500
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)?
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv LDMOS 2,11GHz bis 2,17GHz 18,5 dB 28V
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100mA 700mW 65V SOT-538A 2-CSMD
BLF6G21-10G,112 Datasheet BLF6G21-10G,112 - Ampleon USA Inc. 568-5104-ND RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A 293 - Sofort Verfügbar: 293 38.48000 Fr. 1 Minimum : 1 Tablett?
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv LDMOS 2,11GHz bis 2,17GHz 18,5 dB 28V
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100mA 700mW 65V SOT-538A 2-CSMD
BLF640U Datasheet BLF640U - Ampleon USA Inc. 568-12824-ND RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A 314 - Sofort Verfügbar: 314 39.37000 Fr.
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Tablett?
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Nicht für Neukonstruktionen LDMOS 2,11GHz bis 2,17GHz 18,5 dB 28V
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100mA 700mW 65V SOT-538A 2-CSMD
CGHV1F006S Datasheet CGHV1F006S - Cree/Wolfspeed CGHV1F006STR-ND RF MOSFET HEMT 40V 12DFN 250 - Sofort Verfügbar: 250 40.27884 Fr. 250 Minimum : 250 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)?
wechselnde Verpackungseinheit
GaN Aktiv HEMT 6GHz 16 dB 40V 950mA
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60mA 8W 100V 12-VFDFN mit freiliegendem Pad 12-DFN (4x3)
CGHV1F006S Datasheet CGHV1F006S - Cree/Wolfspeed CGHV1F006SCT-ND RF MOSFET HEMT 40V 12DFN 374 - Sofort Verfügbar: 374 45.12000 Fr. 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)?
wechselnde Verpackungseinheit
GaN Aktiv HEMT 6GHz 16 dB 40V 950mA
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60mA 8W 100V 12-VFDFN mit freiliegendem Pad 12-DFN (4x3)
CGHV1F006S Datasheet CGHV1F006S - Cree/Wolfspeed CGHV1F006SDKR-ND RF MOSFET HEMT 40V 12DFN 374 - Sofort Verfügbar: 374 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®?
wechselnde Verpackungseinheit
GaN Aktiv HEMT 6GHz 16 dB 40V 950mA
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60mA 8W 100V 12-VFDFN mit freiliegendem Pad 12-DFN (4x3)
CGHV1J025D-GP4 Datasheet CGHV1J025D-GP4 - Cree/Wolfspeed CGHV1J025D-GP4-ND RF MOSFET HEMT 40V DIE 120 - Sofort Verfügbar: 120 42.13700 Fr. 10 Minimum : 10 Tablett? GaN Aktiv HEMT 18GHz 17 dB 40V
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120mA 25W 100V Einsatz Einsatz
CGH40006P Datasheet CGH40006P - Cree/Wolfspeed CGH40006P-ND RF MOSFET HEMT 28V 440109 89 - Sofort Verfügbar: 89 46.71000 Fr. 1 Minimum : 1 Stange? GaN Aktiv HEMT 0 Hz bis 6 GHz 13 dB 28V 3,5 A
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100mA 8W 84V 440109 440109
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14:05:09 5/20/2019