Produktverzeichnis > Diskrete Halbleiterprodukte > Transistoren - FETs, MOSFET - HF

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CE3512K2 Datasheet CE3512K2 - CEL CE3512K2-ND RF FET 4V 12GHZ 4MICROX 2.277 - Sofort Verfügbar: 2.277 1.46000 Fr. 1 Minimum : 1 Streifen
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Aktiv pHEMT FET 12 GHz 13,7 dB 2V 15 mA 0,5 dB 10mA 125 mW 4V 4-Micro-X 4-Micro-X
PD85004 Datasheet PD85004 - STMicroelectronics 497-8291-2-ND FET RF 40V 870MHZ 2.500 - Sofort Verfügbar: 2.500 1.60638 Fr. 2.500 Minimum : 2.500 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)?
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Aktiv LDMOS 870 MHz 17 dB 13,6V 2 A
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50mA 4 W 40V TO-243AA SOT-89
PD85004 Datasheet PD85004 - STMicroelectronics 497-8291-1-ND FET RF 40V 870MHZ 4.217 - Sofort Verfügbar: 4.217 3.30000 Fr. 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)?
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Aktiv LDMOS 870 MHz 17 dB 13,6V 2 A
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50mA 4 W 40V TO-243AA SOT-89
PD85004 Datasheet PD85004 - STMicroelectronics 497-8291-6-ND FET RF 40V 870MHZ 4.217 - Sofort Verfügbar: 4.217 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®?
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv LDMOS 870 MHz 17 dB 13,6V 2 A
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50mA 4 W 40V TO-243AA SOT-89
PD55003L-E Datasheet PD55003L-E - STMicroelectronics 497-6472-2-ND TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT 3.000 - Sofort Verfügbar: 3.000 4.71042 Fr. 3.000 Minimum : 3.000 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)?
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv LDMOS 500 MHz 19 dB 12,5V 2,5 A
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50mA 3 W 40V 8-PowerVDFN PowerFLAT™ (5x5)
PD55003L-E Datasheet PD55003L-E - STMicroelectronics 497-6472-1-ND TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT 4.427 - Sofort Verfügbar: 4.427 8.88000 Fr. 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)?
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv LDMOS 500 MHz 19 dB 12,5V 2,5 A
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50mA 3 W 40V 8-PowerVDFN PowerFLAT™ (5x5)
PD55003L-E Datasheet PD55003L-E - STMicroelectronics 497-6472-6-ND TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT 4.427 - Sofort Verfügbar: 4.427 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®?
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv LDMOS 500 MHz 19 dB 12,5V 2,5 A
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50mA 3 W 40V 8-PowerVDFN PowerFLAT™ (5x5)
BLP8G27-10Z Datasheet BLP8G27-10Z - Ampleon USA Inc. 568-12816-2-ND RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN 500 - Sofort Verfügbar: 500 10.41528 Fr. 500 Minimum : 500 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)?
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv LDMOS (zweif.), gemeinsame Quelle 2,14 GHz 17 dB 28V
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110mA 2 W 65V 16-VDFN mit freiliegendem Pad 16-HVSON (6x4)
BLP8G27-10Z Datasheet BLP8G27-10Z - Ampleon USA Inc. 568-12816-1-ND RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN 776 - Sofort Verfügbar: 776 15.53000 Fr. 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)?
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv LDMOS (zweif.), gemeinsame Quelle 2,14 GHz 17 dB 28V
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110mA 2 W 65V 16-VDFN mit freiliegendem Pad 16-HVSON (6x4)
BLP8G27-10Z Datasheet BLP8G27-10Z - Ampleon USA Inc. 568-12816-6-ND RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN 776 - Sofort Verfügbar: 776 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®?
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv LDMOS (zweif.), gemeinsame Quelle 2,14 GHz 17 dB 28V
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110mA 2 W 65V 16-VDFN mit freiliegendem Pad 16-HVSON (6x4)
PD55003-E Datasheet PD55003-E - STMicroelectronics 497-5297-5-ND FET RF 40V 500MHZ PWRSO10 700 - Sofort Verfügbar: 700 12.43000 Fr. 1 Minimum : 1 Stange?
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Aktiv LDMOS 500 MHz 17 dB 12,5V 2,5 A
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50mA 3 W 40V PowerSO-10 freiliegendes Pad unten 10-PowerSO
PD20010-E Datasheet PD20010-E - STMicroelectronics 497-13044-5-ND TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF 502 - Sofort Verfügbar: 502 17.99000 Fr. 1 Minimum : 1 Stange?
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv LDMOS 2 GHz 11 dB 13,6V 5 A
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150mA 10 W 40V PowerSO-10RF freiliegendes Pad unten (2 geformte Anschlüsse) PowerSO-10RF (geformte Anschlüsse)
NPTB00004A Datasheet NPTB00004A - M/A-Com Technology Solutions 1465-1410-ND HEMT N-CH 28V 5W DC-6GHZ 8SOIC 671 - Sofort Verfügbar: 671 19.17000 Fr. 1 Minimum : 1 Stange?
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Aktiv HEMT 0 Hz bis 6 GHz 14,8 dB 28V 1,4 A
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50mA 4 W 100V 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) 8-SOIC
BLP10H610AZ Datasheet BLP10H610AZ - Ampleon USA Inc. 568-12809-2-ND RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN 1.080 - Sofort Verfügbar: 1.080 21.20583 Fr. 60 Minimum : 60 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)?
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Aktiv LDMOS (zweif.), gemeinsame Quelle 860 MHz 22 dB 50V
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60mA 10 W 104V 12-VDFN mit freiliegendem Pad 12-HVSON (6x5)
BLP10H610AZ Datasheet BLP10H610AZ - Ampleon USA Inc. 568-12809-1-ND RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN 1.097 - Sofort Verfügbar: 1.097 24.80000 Fr. 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)?
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv LDMOS (zweif.), gemeinsame Quelle 860 MHz 22 dB 50V
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60mA 10 W 104V 12-VDFN mit freiliegendem Pad 12-HVSON (6x5)
BLP10H610AZ Datasheet BLP10H610AZ - Ampleon USA Inc. 568-12809-6-ND RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN 1.097 - Sofort Verfügbar: 1.097 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®?
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv LDMOS (zweif.), gemeinsame Quelle 860 MHz 22 dB 50V
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60mA 10 W 104V 12-VDFN mit freiliegendem Pad 12-HVSON (6x5)
CGH60008D-GP4 Datasheet CGH60008D-GP4 - Cree/Wolfspeed CGH60008D-ND RF MOSFET HEMT 28V DIE 339 - Sofort Verfügbar: 339 23.38800 Fr. 10 Minimum : 10 Tablett? GaN Aktiv HEMT 6 GHz 15 dB 28V
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100mA 8 W 84V Einsatz Einsatz
475-102N21A-00 Datasheet 475-102N21A-00 - IXYS-RF 475-102N21A-00-ND
RF MOSFET N-CHANNEL DE475 216 - Sofort Verfügbar: 216 37.18000 Fr. 1 Minimum : 1 Stange? DE Aktiv N-Kanal
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24 A
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1800 W 1000V 6-SMD, Flachanschluss, mit freiliegendem Pad DE475
BLF6G21-10G,135 Datasheet BLF6G21-10G,135 - Ampleon USA Inc. BLF6G21-10G,135-ND RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A 0 Verfügbar: 0
Standardlieferzeit: 13 Wochen
28.02398 Fr. 500
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Aktiv LDMOS 2,11 GHz bis 2,17 GHz 18,5 dB 28V
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100mA 700 mW 65V SOT-538A 2-CSMD
BLF6G21-10G,112 Datasheet BLF6G21-10G,112 - Ampleon USA Inc. 568-5104-ND RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A 461 - Sofort Verfügbar: 461 37.72000 Fr. 1 Minimum : 1 Tablett?
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv LDMOS 2,11 GHz bis 2,17 GHz 18,5 dB 28V
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100mA 700 mW 65V SOT-538A 2-CSMD
BLF640U Datasheet BLF640U - Ampleon USA Inc. 568-12824-ND RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A 520 - Sofort Verfügbar: 520 38.59000 Fr. 1 Minimum : 1 Tablett?
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Aktiv LDMOS 2,11 GHz bis 2,17 GHz 18,5 dB 28V
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100mA 700 mW 65V SOT-538A 2-CSMD
IXZ2210N50L2 Datasheet IXZ2210N50L2 - IXYS-RF IXZ2210N50L2-ND RF MOSFET 2 N-CHANNEL DE275 876 - Sofort Verfügbar: 876 43.90000 Fr. 1 Minimum : 1 Stange? Z-MOS™ Aktiv 2 N-Kanal (zweifach) 70 MHz 17 dB 100V 10 A
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270 W 500V 8-SMD, Flat-Lead Freiliegendes Lötauge
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CGHV27030S Datasheet CGHV27030S - Cree/Wolfspeed CGHV27030STR-ND RF MOSFET HEMT 50V 12DFN 250 - Sofort Verfügbar: 250 50.58512 Fr. 250 Minimum : 250 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)?
wechselnde Verpackungseinheit
GaN Aktiv HEMT 6 GHz 20,4 dB 50V
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130mA 30 W 125V 12-VFDFN mit freiliegendem Pad 12-DFN (4x3)
CGHV27030S Datasheet CGHV27030S - Cree/Wolfspeed CGHV27030SCT-ND RF MOSFET HEMT 50V 12DFN 469 - Sofort Verfügbar: 469 56.66000 Fr. 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)?
wechselnde Verpackungseinheit
GaN Aktiv HEMT 6 GHz 20,4 dB 50V
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130mA 30 W 125V 12-VFDFN mit freiliegendem Pad 12-DFN (4x3)
CGHV27030S Datasheet CGHV27030S - Cree/Wolfspeed CGHV27030SDKR-ND RF MOSFET HEMT 50V 12DFN 469 - Sofort Verfügbar: 469 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®?
wechselnde Verpackungseinheit
GaN Aktiv HEMT 6 GHz 20,4 dB 50V
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130mA 30 W 125V 12-VFDFN mit freiliegendem Pad 12-DFN (4x3)
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