Image of MCC 100 V Dual N and P-Channel MOSFET in DFN3333-D Package
Nouveau produit New Product
MOSFET double à canal N et canal P de 100 V en boîtier DFN3333-D Date de publication : 2026-04-24

Conditionnés en boîtier DFN3333-D, les MOSFET double à canal N et à canal P de 100 V de Micro Commercial Co sont conçus pour les applications de puissance compactes.

Image of MCC SICWT40120G6M 1200 V Silicon Carbide Schottky Diode
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Diode Schottky en carbure de silicium 1200 V SICWT40120G6M Date de publication : 2026-04-23

La diode Schottky SiC SICWT40120G6M de MCC est optimisée pour les systèmes d'alimentation exigeants nécessitant un fonctionnement fiable dans des conditions extrêmes.

Image of MCC MCACLS1D6N06YH-TP Dual N-Channel MOSFET in PDFN5060-DSC-B Package
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Double MOSFET à canal N MCACLS1D6N06YH-TP en boîtier PDFN5060-DSC-B Date de publication : 2026-04-15

Les MOSFET doubles à canal N MCACLS1D6N06YH-TP de MCC sont conçus pour la commutation de puissance à haut rendement et les étages de puissance compacts.

Image of MCC 100 V N-Channel MOSFET in DFN3333-8(SWF) Package
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MOSFET à canal N de 100 V en boîtier DFN3333-8(SWF) Date de publication : 2026-04-15

Les MOSFET à canal N de 100 V de MCC intègrent la technologie de tranchée à grille divisée, optimisée pour réduire les pertes de commutation et améliorer le rendement.

Image of MCC MCACL190N06Y-TP 60V N-Channel MOSFETs
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MOSFET à canal N de 60 V MCACL190N06Y-TP en boîtier DFN5060-C Date de publication : 2026-04-13

Le MCACL190N06Y-TP de MCC est un MOSFET à canal N hautes performances de 60 V, conditionné dans le boîtier compact DFN5060-C.

Image of Micro Commercial Components MCTLD58N04Y-TP 40 V N-Channel MOSFET
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MOSFET à canal N 40 V MCTLD58N04Y-TP Date de publication : 2026-04-09

Le MOSFET à canal N 40 V MCTLD58N04Y-TP de MCC offre une haute robustesse aux avalanches pour une protection renforcée contre les retours inductifs et une bonne fiabilité système.

Image of Micro Commercial Components MCAC Power MOSFET Series
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Série de MOSFET de puissance MCAC Date de publication : 2026-04-09

La série de MOSFET de puissance MCAC de Micro Commercial Components est disponible en classes VDS 40 V et 100 V pour prendre en charge diverses architectures de puissance.

Image of MCC MIW40NxxAH2Y 650 V/1200 V Trench Field-Stop Power IGBTs in TO-247AB Packages
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IGBT de puissance de 650 V/1200 V à technologie de tranchée et d'arrêt de champ MIW40NxxAH2Y en boîtier TO-247AB Date de publication : 2026-04-08

Les IGBT MIW40NxxAH2Y de Micro Commercial Components sont parfaits pour la commutation haute tension, la stabilité thermique et la fiabilité électrique dans les systèmes d'alimentation exigeants.

Image of MCC MCACD8D5N06YL-TP Dual N-Channel MOSFET Arrays
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Ensemble de MOSFET à double canal N MCACD8D5N06YL-TP en boîtier PDFN5060-8D Date de publication : 2026-04-08

L'ensemble de MOSFET à double canal N haut rendement de 60 V et 50 A MCACD8D5N06YL-TP de MCC est logé dans un boîtier compact à montage en surface PDFN5060-8D.

Image of MCC SICB2065XG5MQ-TP/SICB2065XG5M-TP SiC Schottky Diode Series
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Diodes Schottky SiC séries SICB2065XG5MQ-TP/SICB2065XG5M-TP Date de publication : 2026-04-08

Les diodes Schottky SiC SICB2065XG5MQ-TP/SICB2065XG5M-TP de MCC offrent un rendement de commutation supérieur, un recouvrement inverse négligeable et une stabilité thermique.

Image of MCC DPAK and D2PAK Automotive-Grade Schottky Power Rectifier Series
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Série de redresseurs de puissance Schottky de qualité automobile DPAK et D2PAK Date de publication : 2026-04-07

Les boîtiers compacts DPAK et à haute dissipation thermique D2PAK sont optimisés pour les conceptions haute densité nécessitant une gestion fiable de l'énergie et une dissipation thermique efficace.

Image of MCC MCMWF090N06LKHE3-TP AEC-Q101 Qualified 60 V N-Ch MOSFET in DFN2020-6SWF Package
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MOSFET à canal N de 60 V qualifié AEC-Q101 en boîtier DFN2020-6SWF MCMWF090N06LKHE3-TP Date de publication : 2026-04-07

Le MOSFET à canal N de 90 mΩ et 8,1 A MCMWF090N06LKHE3-TP de Micro Commercial Components est parfait pour les applications automobiles de faible à moyenne puissance.

Image of MCC SiC Schottky Diode Series 1200 V Automotive-Grade SiC Rectifiers in Various Package Sizes
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Redresseurs à série de diodes Schottky SiC 1200 V de qualité automobile, disponibles en différents boîtiers Date de publication : 2026-04-07

Les diodes Schottky SiC 1200 V qualifiées AEC-Q101 de Micro Commercial Components offrent des pertes de commutation ultrafaibles et une conversion de puissance à haute température.

Image of MCC SiC Schottky Diode Series High Voltage SiC Rectifiers in Various Package Sizes
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Série de diodes Schottky SiC : redresseurs SiC haute tension disponibles en différentes tailles de boîtier Date de publication : 2026-04-07

La série de diodes Schottky SiC de Micro Commercial Components pour un redressement haute tension, de faibles pertes de recouvrement et des performances thermiques dans la conversion de puissance.

Understanding TVS Diodes

Understand the difference between 8/20 and 10/1000 current waveform pulses.

Image of MCC Zener Diodes Diodes Zener Date de publication : 2026-02-19

MCC propose un large portefeuille de diodes Zener conçues pour répondre à divers besoins d'application.

Image of MCC SMHE Series 150 W AEC-Q101 Qualified TVS Diodes
Nouveau produit New Product
Diodes TVS 150 W qualifiées AEC-Q101 série SMHE Date de publication : 2026-02-02

Les diodes TVS série SMHE de MCC aux tensions de fonctionnement de 5,0 V à 90 V et en boîtier SOD-323HE-B garantissent une protection des composants électroniques sensibles contre les transitoires induits.

Image of Micro Commercial Components (MCC) GBJ Series Bridge Rectifiers Ponts redresseurs série GBJ Date de publication : 2026-01-29

La série de ponts redresseurs 600 V et 800 V à faible valeur VF de Micro Commercial Components (MCC) est disponible en boîtier GBJ, avec des valeurs nominales de 15 A, 25 A et 35 A.

Image of MCC (Micro Commercial Components) MCAC4D4N04YL-TP 40 V N-Channel MOSFET in DFN5060 Package
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MOSFET à canal N 40 V MCAC4D4N04YL-TP en boîtier DFN5060 Date de publication : 2026-01-28

Le dispositif MCAC4D4N04YL-TP de Micro Commercial Components est un MOSFET à canal N hautes performances en boîtier miniature DFN5060 conçu pour les applications où l'espace est limité.

Image of MCC MCTL011N20YH-TP 200 V N-Channel MOSFET
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MOSFET à canal N de 200 V MCTL011N20YH-TP Date de publication : 2026-01-28

Le MOSFET à canal N de 200 V MCTL011N20YH-TP de Micro Commercial Components offre une gestion de courant élevée et des performances thermiques supérieures dans un boîtier TOLL-8L.