Matrices de FET, MOSFET

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Référence fabricant	Quantité disponible	Prix	Série	Conditionnement	Statut du produit	Technologies	Configuration	Fonction FET	Tension drain-source (Vdss)	Courant - Drain continu (Id) à 25°C	Rds On (max.) à Id, Vgs	Vgs(th) (max.) à Id	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	Puissance - Max.	Température de fonctionnement	Grade	Qualification	Type de montage	Boîtier	Boîtier fournisseur
2N7002BKS,115 MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	42’832 En stock	1 : Fr. 0.23000 Bande coupée (CT) 3’000 : Fr. 0.04427 Bande et bobine	TrenchMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	60V	300mA (Ta)	1,6ohms à 500mA, 10V	2,1V à 250µA	0,6nC à 4,5V	50pF à 10V	295mW	150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
NTJD5121NT1G MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88 onsemi	198’913 En stock	1 : Fr. 0.23000 Bande coupée (CT) 3’000 : Fr. 0.04506 Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	60V	295mA	1,6ohms à 500mA, 10V	2,5V à 250µA	0,9nC à 4,5V	26pF à 20V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
BSS138PS,115 MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	101’731 En stock	1 : Fr. 0.26000 Bande coupée (CT) 3’000 : Fr. 0.05000 Bande et bobine	TrenchMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	60V	320mA	1,6ohms à 300mA, 10V	1,5V à 250µA	0,8nC à 4,5V	50pF à 10V	420mW	150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
2N7002DWH6327XTSA1 MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 Infineon Technologies	73’465 En stock	1 : Fr. 0.26000 Bande coupée (CT) 3’000 : Fr. 0.05320 Bande et bobine	OptiMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	60V	300mA	3ohms à 500mA, 10V	2,5V à 250µA	0,6nC à 10V	20pF à 25V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-PO
BSS84AKS,115 MOSFET 2P-CH 50V 0.16A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	26’750 En stock	1 : Fr. 0.26000 Bande coupée (CT) 3’000 : Fr. 0.05405 Bande et bobine	TrenchMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux P (double)	Porte de niveau logique	50V	160mA	7,5ohms à 100mA, 10V	2,1V à 250µA	0,35nC à 5V	36pF à 25V	445mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
2N7002HSX MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	15’624 En stock	1 : Fr. 0.26000 Bande coupée (CT) 3’000 : Fr. 0.05281 Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	-	2 canaux N (double)	-	60V	320mA (Ta)	1,6ohms à 500mA, 10V	2,5V à 250µA	0,5nC à 4,5V	34pF à 10V	420mW	-55°C ~ 150°C (TA)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
SSM6L56FE,LM MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6 Toshiba Semiconductor and Storage	52’595 En stock	1 : Fr. 0.27000 Bande coupée (CT) 4’000 : Fr. 0.05420 Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	Canaux N et P	Porte de niveau logique, attaque 1,5V	20V	800mA (Ta)	235mohms à 800mA, 4,5V, 390mohms à 800mA, 4,5V	1V à 1mA	1nC à 10V	55pF à 10V, 100pF à 10V	150mW (Ta)	150°C	-	-	Montage en surface	SOT-563, SOT-666	ES6
NX3008NBKS,115 MOSFET 2N-CH 30V 0.35A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	615’138 En stock	1 : Fr. 0.29000 Bande coupée (CT) 3’000 : Fr. 0.06139 Bande et bobine	TrenchMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	30V	350mA	1,4ohms à 350m A, 4,5V	1,1V à 250µA	0,68nC à 4,5V	50pF à 15V	445mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
NX3008CBKS,115 MOSFET N/P-CH 30V 0.35A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	79’905 En stock	1 : Fr. 0.30000 Bande coupée (CT) 3’000 : Fr. 0.06202 Bande et bobine	TrenchMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	Canaux N et P	Porte de niveau logique	30V	350mA, 200mA	1,4ohms à 350m A, 4,5V	1,1V à 250µA	0,68nC à 4,5V	50pF à 15V	445mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
NTZD3152PT1G MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563 onsemi	5’974 En stock	1 : Fr. 0.30000 Bande coupée (CT) 4’000 : Fr. 0.05669 Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux P (double)	-	20V	430mA	900mohms à 430mA, 4,5V	1V à 250µA	2,5nC à 4,5V	175pF à 16V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-563, SOT-666	SOT-563
NTZD3154NT1G MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563 onsemi	0 En stock Vérifier le délai d'approvisionnement	1 : Fr. 0.30000 Bande coupée (CT) 4’000 : Fr. 0.05859 Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	-	20V	540mA	550mohms à 540mA, 4,5V	1V à 250µA	2,5nC à 4,5V	150pF à 16V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-563, SOT-666	SOT-563
BSD223PH6327XTSA1 MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363 Infineon Technologies	101’487 En stock	1 : Fr. 0.30000 Bande coupée (CT) 3’000 : Fr. 0.06532 Bande et bobine	OptiMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux P (double)	Porte de niveau logique	20V	390mA	1,2ohms à 390mA, 4,5V	1,2V à 1,5µA	0,62nC à 4,5V	56pF à 15V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-6-1
DMC2400UV-7 MOSFET N/P-CH 20V SOT563 Diodes Incorporated	63’745 En stock	1 : Fr. 0.31000 Bande coupée (CT) 3’000 : Fr. 0.06664 Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	Canaux N et P	Porte de niveau logique	20V	1,03A, 700 mA	480mohms à 200mA, 5V	900mV à 250µA	0,5nC à 4,5V	37,1pF à 10V	450mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-563, SOT-666	SOT-563
BSS84AKV,115 MOSFET 2P-CH 50V 0.17A SOT666 Nexperia USA Inc.	23’500 En stock	1 : Fr. 0.32000 Bande coupée (CT) 4’000 : Fr. 0.06497 Bande et bobine	TrenchMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Pas pour les nouvelles conceptions	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux P (double)	Porte de niveau logique	50V	170mA	7,5ohms à 100mA, 10V	2,1V à 250µA	0,35nC à 5V	36pF à 25V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	SOT-563, SOT-666	SOT-666
BSD840NH6327XTSA1 MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363 Infineon Technologies	168’880 En stock	1 : Fr. 0.33000 Bande coupée (CT) 3’000 : Fr. 0.06938 Bande et bobine	OptiMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	20V	880mA	400mohms à 880mA, 2,5V	750mV à 1,6µA	0,26nC à 2,5V	78pF à 10V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-PO
UM6K33NTN MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 Rohm Semiconductor	563’850 En stock	1 : Fr. 0.33000 Bande coupée (CT) 3’000 : Fr. 0.07248 Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique, attaque 1,2V	50V	200mA	2,2ohms à 200mA, 4,5V	1V à 1mA	-	25pF à 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	UMT6
DMC2700UDM-7 MOSFET N/P-CH 20V 1.34A SOT26 Diodes Incorporated	917’354 En stock	1 : Fr. 0.34000 Bande coupée (CT) 3’000 : Fr. 0.06882 Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	Canaux N et P	Porte de niveau logique	20V	1,34 A, 1,14 A	400mohms à 600mA, 4,5V	1V à 250µA	0,74nC à 4,5V	60,67pF à 16V	1,12W	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-6	SOT-26
NX3020NAKV,115 MOSFET 2N-CH 30V 0.2A SOT666 Nexperia USA Inc.	233’818 En stock	1 : Fr. 0.34000 Bande coupée (CT) 4’000 : Fr. 0.07170 Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Pas pour les nouvelles conceptions	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	30V	200mA	4,5ohms à 100mA, 10V	1,5V à 250µA	0,44nC à 4,5V	13pF à 10V	375mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-563, SOT-666	SOT-666
UM6K34NTCN MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 Rohm Semiconductor	158’292 En stock	1 : Fr. 0.34000 Bande coupée (CT) 3’000 : Fr. 0.07376 Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique, attaque 0,9V	50V	200mA	2,2ohms à 200mA, 4,5V	800mV à 1mA	-	26pF à 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	UMT6
EM6K34T2CR MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6 Rohm Semiconductor	86’954 En stock	1 : Fr. 0.34000 Bande coupée (CT) 8’000 : Fr. 0.06420 Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique, attaque 0,9V	50V	200mA	2,2ohms à 200mA, 4,5V	800mV à 1mA	-	26pF à 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-563, SOT-666	EMT6
NTJD1155LT1G MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SC88 onsemi	86’363 En stock	1 : Fr. 0.34000 Bande coupée (CT) 3’000 : Fr. 0.06989 Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	Canaux N et P	-	8V	1,3A	175mohms à 1,2A, 4,5V	1V à 250µA	-	-	400mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
NVJD5121NT1G MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88 onsemi	15’094 En stock	1 : Fr. 0.34000 Bande coupée (CT) 3’000 : Fr. 0.06894 Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	-	60V	295mA	1,6ohms à 500mA, 10V	2,5V à 250µA	0,9nC à 4,5V	26pF à 20V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
BSD235NH6327XTSA1 MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363 Infineon Technologies	12’955 En stock	1 : Fr. 0.35000 Bande coupée (CT) 3’000 : Fr. 0.07543 Bande et bobine	OptiMOS™ 2	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	20V	950mA	350mohms à 950mA, 4,5V	1,2V à 1,6µA	0,32nC à 4,5V	63pF à 10V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-PO
NTJD4001NT1G MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88 onsemi	62’460 En stock	1 : Fr. 0.36000 Bande coupée (CT) 3’000 : Fr. 0.07228 Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	-	30V	250mA	1,5ohms à 10mA, 4V	1,5V à 100µA	1,3nC à 5V	33pF à 5V	272mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
PMDT290UNE,115 MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666 Nexperia USA Inc.	68’000 En stock	1 : Fr. 0.37000 Bande coupée (CT) 4’000 : Fr. 0.07867 Bande et bobine	TrenchMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Pas pour les nouvelles conceptions	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	20V	800mA	380mohms à 500mA, 4,5V	950mV à 250µA	0,68nC à 4,5V	83pF à 10V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	SOT-563, SOT-666	SOT-666

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Les transistors à effet de champ (FET) sont des dispositifs électroniques utilisant un champ électrique pour contrôler le flux de courant. L'application d'une tension à la borne de grille modifie la conductivité entre les bornes de drain et de source. Les FET sont également appelés transistors unipolaires puisque leur fonctionnement inclut un seul type de porteur. Autrement dit, les FET utilisent des électrons ou des trous comme porteurs de charge dans leur fonctionnement, mais pas les deux. Les transistors à effet de champ affichent généralement une très haute impédance d'entrée à basses fréquences.

Matrices de FET, MOSFET

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