Circuit d'attaque FET GaN isolé monocanal à alimentation autonome AHV85111
Le circuit d'attaque d'Allegro est doté d'une attaque de sortie bipolaire régulée qui simplifie la conception des systèmes et réduit les interférences électromagnétiques
Le circuit d'attaque de grille isolé AHV85111 d'Allegro est optimisé pour attaquer des FET GaN dans plusieurs applications et topologies. Une double alimentation de polarisation de sortie positive/négative isolée est intégrée au circuit d'attaque, éliminant ainsi les besoins en alimentation de polarisation auxiliaire d'attaque de grille externe ou en auto-élévation haut potentiel. Le rail de sortie bipolaire, avec rail positif réglable et régulé, améliore l'immunité dv/dt, simplifie considérablement la conception des systèmes et réduit les interférences électromagnétiques grâce à une capacité totale réduite de mode commun (CM). Le dispositif permet également d'attaquer un commutateur flottant à n'importe quel endroit dans une topologie de commutation de puissance.
Le circuit d'attaque présente un délai de propagation rapide et une capacité de source/réception de crête élevée pour attaquer efficacement des FET GaN dans des conceptions haute fréquence. La valeur CMTI élevée avec des sorties isolées pour l'attaque et la puissance de polarisation font de ce circuit d'attaque un choix parfait dans les applications nécessitant une isolation, un décalage de niveau ou une séparation de la masse pour l'immunité au bruit.
Le dispositif est disponible en boîtier NH compact et discret à montage en surface. La protection intégrée comprend un verrouillage contre les sous-tensions (UVLO) sur les rails de polarisation primaire et secondaire, une excursion basse interne sur la broche IN et la broche OUTPD, une entrée d'activation à réponse rapide, un blocage en cas de surchauffe, et une synchronisation des impulsions OUT avec le premier front de montée IN après activation (évitant les impulsions asynchrones).
- Barrière galvanique de transformateur
- Polarisation isolée intégrée Power-through
- Pas besoin d'auto-élévation haut potentiel
- Pas besoin de polarisation externe côté secondaire
- Homologation AEC-Q100 de grade 2
- Sortie d'attaque bipolaire avec rail positif régulé réglable
- Sortie de polarisation intégrée côté primaire de 3,3 VREF
- Temps de propagation : 50 ns
- Tension d'alimentation : 10,8 V < VDRV < 13,2 V
- Broche d'activation avec réponse rapide
- UVLO sur VDRV primaire et VSEC secondaire
- Capacité ON continue : pas besoin de recycler IN ou de recharger le condensateur d'auto-élévation
- CMTI : immunité dv/dt > 100 V/ns
- Distance de fuite en surface : 8,4 mm
- Homologations réglementaires de sécurité :
- 5 kVRMS pour VOIN selon UL 1577
- Tension d'isolement transitoire : 8 kV pk pour VIOTM (max.)
- Tension d'isolement de travail : 1 kV pk (max.)
- Convertisseurs CA/CC et CC/CC : PFC totem-pôle, LLC demi-pont/pont complet, entraînements SR, convertisseurs multiniveaux et pont complet déphasé
- Automobile : chargeurs EV et OBC
- Industriel : data center, transports, robotique, audio et moteurs
- Énergie propre : onduleurs solaires, micro-onduleurs, onduleurs en chaîne
AHV85111 Self-Powered Single-Channel Isolated GaN FET Drivers
| Image | Référence fabricant | Description | Quantité disponible | Prix | Afficher les détails | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | AHV85111KNHTR | DG ISO 5KV 1CH GATE DVR 12SMD | 5416 - Immédiatement | $3.92 | Afficher les détails |
![]() | ![]() | AHV85111KNHLU | DG ISO 5KV 1CH GATE DVR 12SMD | 0 - Immédiatement | $10.05 | Afficher les détails |



