Alliance Memory, Inc.

Module de mémoire SDRAM CMOS AS4C1M16S-7TCN haute vitesse avec faible densité de 16 Mo

Alliance Memory présente son module de mémoire DRAM synchrone (SDRAM) AS4C1M16S-7TCN 1 M x 16 bits

Image du module de mémoire SDRAM CMOS AS4C1M16S-7TCN avec faible densité de 16 Mo d'Alliance MemoryLe module AS4C1M16S-7TCN d'Alliance Memory est un module de mémoire DRAM synchrone (SDRAM) CMOS haute vitesse avec une faible densité de 16 Mo dans un boîtier en plastique TSOP II à 50 broches, 400 mil. Ce dispositif fournit un équivalent fiable à brochage compatible pour un remplacement dans un certain nombre de solutions similaires.

Fonctionnalités et avantages
  • Temps d'accès rapide depuis l'horloge de 5,4 ns à un cycle d'horloge de 6/7 ns
  • Fréquence d'horloge rapide de 143/166 MHz
  • Configuré en interne sous forme de deux blocs de 512 K mots x 16 bits avec une interface synchrone
  • Durées des rafales en lecture ou écriture programmables de 1, 2, 4, 8 ou pleine page, avec une option de terminaison en rafale
  • Une fonction de précharge automatique fournit une précharge de ligne autoprogrammée initiée à la fin de la séquence de rafales
  • Alimentation JEDEC standard +3,3 V (±0,3 V)
  • Sans plomb et sans halogène
Applications
  • Médical
  • Industriel
  • Automobile
  • Applications de télécommunications nécessitant une bande passante mémoire élevée
  • Applications PC hautes performances
Plages de températures de fonctionnement
  • Commercial : 0°C à +70°C
  • Industriel : -40°C à +85°C

AS4C1M16S Series CMOS SDRAM

ImageRéférence fabricantDescriptionQuantité disponiblePrixAfficher les détails
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Date de publication : 2016-02-24