Le module de mémoire DRAM synchrone à débit de données double version 3 (SDRAM DDR3L) CMOS basse tension, monolithique, haute vitesse AS4C512M16D3L d'Alliance Memory présente une densité de 8 Go dans un boîtier FBGA sans plomb 96 billes, de 9 mm x 14 mm. Avec un rétrécissement minimal de la taille de la puce, ce dispositif monopuce offre un équivalent fiable à brochage compatible pour un remplacement dans un certain nombre de solutions similaires, utilisées conjointement avec des microprocesseurs de nouvelle génération pour des applications industrielles, médicales et aérospatiales, les réseaux et les télécommunications, éliminant ainsi le recours à des réaménagements coûteux et au recyclage des pièces. Ce module DDR3L 8 Go constitue un choix logique pour les applications qui requièrent une mémoire accrue, mais doivent faire face à des contraintes d'espace carte.
Fonctionnalités et avantages |
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- Disponible dans le boîtier FBGA sans plomb 96 billes, 9 mm x 14 mm
- Silicium de pointe fourni par Micron Technology
- Débits de transfert extrêmement rapides jusqu'à 1600 Mbps/broche et fréquences d'horloge de 800 MHz
- Disponible dans des plages de températures commerciales étendues (0°C à +95°C) et industrielles (-40°C à +95°C)
- Configuré en interne sous forme de huit blocs de 64 M x 16 bits (paramètre 512 M x 16)
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- Fonctionnement à partir d'une alimentation unique de +1,35 V
- Fonctionnement entièrement synchrone
- Durées des rafales en lecture ou écriture programmables de 4 ou 8
- Une fonction de précharge automatique fournit une précharge de ligne autoprogrammée initiée à la fin de la séquence de rafales
- Fonctions de rafraîchissement faciles à utiliser, dont un rafraîchissement automatique ou une auto-actualisation
- Le registre de mode programmable permet au système de choisir les modes les plus adaptés pour optimiser les performances
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