Alliance Memory, Inc.

SDRAM DDR CMOS haute vitesse

Alliance Memory présente les modules de mémoire SDRAM DDR CMOS haute vitesse AS4C32M8D1/16D1 et AS4C64M8D1/16D1

Image des modules de mémoire SDRAM DDR CMOS haute vitesse AS4C32M8D1/16D1 d'Alliance MemoryLes modules de mémoire DRAM synchrones à débit de données double (SDRAM DDR) CMOS haute vitesse AS4C32M8D1, AS4C32M16D1A, AS4C64M8D1 et AS4C64M16D d'Alliance Memory présentent des densités de respectivement 256 Mo, 512 Mo et 1 Go, et ils viennent s'ajouter à la gamme existante de modules DDR1 offrant des densités de 64 M (4 M x 16)/(2 M x 32) et de 128 M (8 M x 16)/(4 M x 32). Ces dispositifs offrent un équivalent fiable, compatible broche à broche pour un remplacement dans un certain nombre de solutions similaires dans les secteurs industriel, médical, des communications et des produits de télécommunications qui nécessitent une bande passante mémoire élevée. Par ailleurs, ils répondent particulièrement bien aux besoins de performances élevées des applications PC.

Fonctionnalités et avantages
  • Disponible dans un boîtier TFBGA 60 billes de 8 mm x 13 mm x 1,2 mm et un boîtier TSOP II de 66 broches avec un pas de broche de 0,65 mm
  • Configuré en interne sous forme de quatre blocs de 32 M mots x 8 bits (AS4C32M8D1), 64 M mots x 8 bits (AS4C64M8D1) et 64 M mots x 16 bits (AS4C64M16D1) avec une interface synchrone
  • Disponible dans des plages de températures commerciales (0°C à +70°C) et industrielles (-40°C à +85°C)
  • Durées des rafales en lecture ou écriture programmables de 2, 4 ou 8
  • Une fonction de précharge automatique fournit une précharge de ligne autoprogrammée initiée à la fin de la séquence de rafales
  • Fonctions de rafraîchissement faciles à utiliser, dont un rafraîchissement automatique ou une auto-actualisation
  • Le registre de mode programmable permet au système de choisir les modes les plus adaptés pour optimiser les performances
  • Fréquences d'horloge rapides de 200 MHz et 166 MHz
  • Fonctionnement à partir d'une alimentation simple de +2,5 V (±0,2 V)
  • Sans plomb et sans halogène

High-Speed CMOS DDR SDRAMs

ImageRéférence fabricantDescriptionQuantité disponiblePrixAfficher les détails
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP IIAS4C32M16D1A-5TINIC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II327 - Immédiatement$5.00Afficher les détails
IC DRAM 1GBIT PAR 66TSOP IIAS4C64M16D1-6TCNIC DRAM 1GBIT PAR 66TSOP II58 - Immédiatement$25.32Afficher les détails
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP IIAS4C32M16D1A-5TCNIC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II0 - Immédiatement$4.31Afficher les détails
IC DRAM 1GBIT PAR 66TSOP IIAS4C64M16D1-6TINIC DRAM 1GBIT PAR 66TSOP II86 - Immédiatement$29.11Afficher les détails
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP IIAS4C64M8D1-5TINIC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II175 - Immédiatement$5.00Afficher les détails
Date de publication : 2016-02-24

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