Alliance Memory, Inc.

SDRAM CMOS x32 haute vitesse

La SDRAM CMOS x32 d'Alliance Memory offre une plage de températures industrielles s'étendant de -40°C à +85°C

Image des modules de mémoire SDRAM CMOS x32 haute vitesse d'Alliance MemoryLes mémoires DRAM synchrones (SDRAM) CMOS haute vitesse 2M x 32 (AS4C2M32SA-6TIN et AS4C2M32S-6BIN), 4M x 32 (AS4C4M32SA-6TIN et AS4C4M32S-6BIN) et 8M x 32 (AS4C8M32S-6TIN et AS4C8M32S-6BIN) d'Alliance Memory offrent une plage de températures industrielles de -40°C à +85°C. Ces dispositifs constituent un équivalent fiable à brochage compatible pour plusieurs solutions similaires dans des produits exigeant une bande passante mémoire élevée.

Fonctionnalités et avantages

  • Disponibilité en boîtier TFBGA à 90 billes de 8 mm x 13 mm x 1,2 mm
    • Les dispositifs 2M x 32 et 4M x 32 sont également disponibles en boîtier plastique TSOP II à 86 broches, 400 mil
    • Les dispositifs 8M x 32 sont disponibles en boîtier TSOP II à 54 broches
  • Disponibilité avec des caractéristiques de températures commerciales et industrielles :
    • 0°C à 70°C (AS4C2M32SA-6&7TCN/AS4C4M32SA-6&7TCN/AS4M32S-6BIN et AS4C8M32S-7TCN/AS4C8M32S-7BCN)
    • -40°C à +85°C (AS4C2M32SA-6TIN/AS4C2M32S-6BIN, AS4C4M32SA-6TIN/AS4C4M32S-6BIN et AS4C8M32S-6TIN/AS4C8M32S-6BIN)
  • Délai d'accès rapide de l'horloge : seulement 5,4 ns
  • Fréquences d'horloge rapides de 143 MHZ et 166 MHZ (8M x 32, 4M x 32 et 2M x 32)
  • Longueurs de rafales de lecture ou d'écriture programmables de 1, 2, 4, 8 ou pleine page avec une option de terminaison de rafale
  • Fonction de précharge automatique offrant une précharge de ligne autoprogrammée initiée à la fin d'une séquence de rafale
  • Fonctions de rafraîchissement faciles à utiliser, dont un rafraîchissement automatique ou une auto-actualisation
  • Le registre de mode programmable permet au système de choisir les modes les plus adaptés pour optimiser les performances

Applications

  • Industrie
  • Commercial
  • Médical
  • Télécommunications
  • Produits de réseaux

x32 SDRAM ICs

ImageRéférence fabricantDescriptionQuantité disponiblePrixAfficher les détails
IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP IIAS4C2M32SA-6TCNIC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II3932 - Immédiatement$2.89Afficher les détails
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGAAS4C2M32S-6BINIC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA49 - Immédiatement$4.86Afficher les détails
IC DRAM 64MBIT PAR 90TFBGAAS4C2M32S-7BCNIC DRAM 64MBIT PAR 90TFBGA478 - Immédiatement$3.05Afficher les détails
IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP IIAS4C2M32SA-7TCNIC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II12 - Immédiatement$2.89Afficher les détails
IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP IIAS4C2M32SA-6TINIC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II0 - Immédiatement$3.92Afficher les détails
Date de publication : 2016-02-24

Related Product Highlight

Modules de mémoire SDRAM CMOS haute vitesse Alliance Memory étend sa gamme de 64 M et 128 M avec les modules de mémoire DRAM synchrones (SDRAM) CMOS haute vitesse AS4C2M32S 2 M x 32 et AS4C4M32S 4 M x 32, conditionnés en boîtiers TFBGA 90 billes de 8 mm x 13 mm x 1,2 mm et TSOP II en plastique à 86 broches, 400 mil.