Alliance Memory, Inc.

SDRAM DDR mobile haute vitesse

Alliance Memory présente les mémoires DRAM synchrones à double débit de données CMOS mobiles haute vitesse AS4CxxMxxMD1

Image des mémoires SDRAM DDR mobiles haute vitesse AS4C16M16MD1/32M16MD1/16M32MD1/64M16MD1 d'Alliance MemoryLes mémoires DRAM synchrones à double débit de données (SDRAM DDR) CMOS haute vitesse mobiles d'Alliance Memory sont conçues pour augmenter le rendement et l'autonomie des batteries dans les appareils portables compacts. Affichant une basse consommation de 1,7 V à 1,95 V et plusieurs fonctions d'économie d'énergie, les dispositifs de 256 Mo, 512 Mo, 1 Go et 2 Go sont disponibles en boîtiers FPBGA à 60 billes de 8 mm x 9 mm et à 90 billes de 8 mm x 13 mm. Les dispositifs AS4C16M16MD1, AS4C32M16MD1, AS4C16M32MD1, AS4C64M16MD1, AS4C32M32MD1 et AS4C64M32MD1 constituent un équivalent fiable à brochage compatible pour plusieurs solutions similaires dans des applications de systèmes de mémoire hautes performances à large bande passante.

Fonctionnalités et avantages
  • Faible consommation énergétique de 1,7 V à 1,95 V
  • Fonctionnalités d'économie d'énergie :
    • ATCSR (Auto temperature Compensated Self-Refresh)
    • PASR (Partial Array Self-Refresh)
    • Mode d'arrêt profond (DPD)
  • Architecture à double débit de données pour fréquences d'horloge rapides de 166 MHz et 200 MHz
  • Chaque dispositif est disponible dans la plage de températures étendue (-30°C à +85°C) et industrielle (-40°C à +85°C)
  • Configuration en interne en quatre blocs de 16M x 16 bits et 32 bits ; 32M et 64M x 16 bits ; et 32M et 64M x 32 bits
  • Disponibilité en boîtiers FPBGA à 60 billes de 8 mm x 9 mm et à 90 billes de 8 mm x 13 mm
  • Fonctionnement entièrement synchrone
  • Longueurs de rafales de lecture ou d'écriture programmables de 2, 4, 8 ou 16
  • Une fonction de précharge automatique fournit une précharge de ligne autoprogrammée initiée à la fin de la séquence de rafales
  • Fonctions de rafraîchissement faciles à utiliser, dont un rafraîchissement automatique ou une auto-actualisation
  • Conformité à RoHS
  • Sans plomb et sans halogène

High-Speed Mobile DDR SDRAMs

ImageRéférence fabricantDescriptionQuantité disponiblePrixAfficher les détails
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGAAS4C64M16MD1-6BINIC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA0 - ImmédiatementSee Page for PricingAfficher les détails
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGAAS4C16M16MD1-6BCNIC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA0 - Immédiatement$3.37Afficher les détails
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90FBGAAS4C64M32MD1-5BCNIC DRAM 2GBIT PARALLEL 90FBGA75 - Immédiatement$12.17Afficher les détails
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGAAS4C32M32MD1-5BCNIC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGA0 - ImmédiatementSee Page for PricingAfficher les détails
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGAAS4C32M16MD1-5BCNIC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA0 - ImmédiatementSee Page for PricingAfficher les détails
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGAAS4C64M16MD1-6BCNIC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA0 - ImmédiatementSee Page for PricingAfficher les détails
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGAAS4C16M32MD1-5BCNIC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA25 - Immédiatement$4.63Afficher les détails
Date de publication : 2016-02-24

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