Le dispositif ADRF5020 d'Analog Devices est un commutateur SPDT (unipolaire bidirectionnel) à usage général, fabriqué selon un procédé au silicium. Il est fourni dans un boîtier LGA à 20 broches de 3 mm × 3 mm et offre un isolement élevé et de faibles pertes d'insertion entre 100 MHz et 30 GHz. Ce commutateur à large bande requiert deux tensions d'alimentation de +3,3 V et de -2,5 V, et fournit un contrôle logique compatible CMOS/LVTTL. Les applications incluent les équipements de mesure et de test RF et hyperfréquence, une alternative aux commutateurs à diodes PIN, les radios militaires, les radars, les systèmes de contre-mesures électroniques, l'infrastructure cellulaire 5G et les têtes RF.
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- Plage de fréquences à bande ultralarge : 100 MHz à 30 GHz
- Faibles pertes d'insertion et caractéristiques plates
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- Fabrication selon une technologie silicium avancée
- Boîtier compact conforme à RoHS de format STM
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L'ADRF5130 est un commutateur unipolaire bidirectionnel (SPDT) silicium, réflectif, haute puissance de 0,7 GHz à 3,5 GHz, fourni en boîtier à montage en surface sans sorties. Ce commutateur est idéal pour les applications d'infrastructure cellulaire haute puissance, telles que les stations de base LTE. L'ADRF5130 affiche une haute tenue en puissance de 43 dBm (maximum), une faible perte d'insertion de 0,6 dB, une interception du troisième ordre d'entrée de 68 dBm (typique), et une compression 0,1 dB (P0.1dB) de 46 dBm. Le circuit intégré fonctionne à une tension d'alimentation positive unique de 5 V et un courant d'alimentation typique de 1,06 mA, ce qui fait de l'ADRF5130 une alternative idéale aux commutateurs basés sur des diodes PIN. Le dispositif est fourni dans un boîtier LFCSP compact, à 24 broches, de 4 mm × 4 mm avec conformité RoHS. Les applications incluent les têtes RF des systèmes MIMO d'infrastructure cellulaire pour protection de l'amplificateur à faible bruit, les commutateurs d'antenne de répéteurs cellulaires, les équipements de mesure et de test RF modulaires et portables, le remplacement des diodes PIN dans les applications RF haute puissance.
| Fonctionnalités |
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- Tenue en puissance de crête de 44 W
- Faibles tension et courant d'alimentation
- Aucun composant externe pour la génération de polarisation
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- Fabrication selon une technologie silicium avancée
- Boîtier compact CMS conforme à RoHS
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