AEM Central Semiconductor

Diodes de commutation haute tension CMSD2004S/CMSD2005S

Les diodes de commutation haute tension de Central Semiconductor offrent une tension inverse répétitive de 300 V à 350 V crête en boîtier SOT-323

Image des diodes de commutation haute tension CMSD2004S et CMSD2005S de Central SemiconductorLes dispositifs CMSD2004S et CMSD2005S de Central Semiconductor sont des diodes de commutation silicium doubles en série, fabriquées avec le procédé planar épitaxial. Ces dispositifs sont moulés en époxy dans un boîtier SOT-323 à montage en surface et ils sont conçus pour les applications exigeant une haute tenue en tension. Avec une tension inverse répétitive (VRRM) de 300 V à 350 V crête, ces dispositifs sont également disponibles dans plusieurs boîtiers supplémentaires.

Applications

  • Commande moteur
  • Équipements de test
  • Contrôleurs industriels

CMSD2004S and CMSD2005S High-Voltage Switching Diodes

ImageRéférence fabricantDescriptionVitesseTemps de recouvrement inverse (trr)Quantité disponiblePrixAfficher les détails
DIODE ARRAY GP 300V 225MA SOT323CMSD2004S TR PBFREEDIODE ARRAY GP 300V 225MA SOT323Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)50 ns28923 - Immédiatement$0.25Afficher les détails
DIODE ARRAY GP 300V 225MA SOT323CMSD2005S TR PBFREEDIODE ARRAY GP 300V 225MA SOT323Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)50 ns0 - Immédiatement$0.48Afficher les détails
Date de publication : 2018-10-09