Transistors NPN et PNP DFN0606

Occupant un espace carte de seulement 0,36 mm², les transistors DFN0606 de Diodes sont 40 % plus petits que les modèles concurrents directs DFN1006 (SOT883) et délivrent des performances électriques identiques ou supérieures. Avec une hauteur hors carte de seulement 0,4 mm, ils sont parfaitement adaptés pour les technologies corporelles, telles que les smartwatches, les appareils de santé et de fitness, et d'autres produits grand public soumis à des contraintes d'espace, comme les smartphones et les tablettes.

Les offres de transistors bipolaires DFN0606 initiales de Diodes sont deux dispositifs NPN et PNP prenant en charge des performances de dissipation de puissance atteignant 830 mW. Les dispositifs MMBT3904FZ et MMBT3906FZ caractérisés à 40 V permettent de considérablement améliorer la densité de puissance, et offrent également un courant collecteur élevé de 200 mA, tandis que les dispositifs BC847BFZ et BC857BFZ caractérisés à 45 V fournissent un courant collecteur de 100 mA. Tous les dispositifs s'activent à une tension d'émetteur de base de moins de 1 V, leur permettant d'être complètement activés en conditions de puissance portable très faible.

Fonctionnalités

• Empreinte de 0,36 mm² et hauteur hors carte de 0,4 mm – Le format compact permet aux concepteurs de réduire la surface de carte tout en fournissant des performances supérieures à celles de transistors équivalents en boîtiers beaucoup plus volumineux.
• Densité de puissance plus élevée – Le boîtier DFN0606 sans sorties est thermiquement efficace avec une résistance thermique de seulement 135°C/W, pour atteindre une plus haute densité de puissance
• Activation VBE <1 V – Les transistors BJT permettent à des applications basse tension de commuter à moins de 1 V, ce qui permet d'activer des applications portables en conditions de faible puissance