FET eGaN EPC2030/31/32

EPC annonce l'extension de son portefeuille de transistors de puissance eGaN avec des boîtiers CSP hautes performances à pas plus grand pour simplifier la fabrication haut volume et améliorer la compatibilité avec les lignes d'assemblage et les processus de fabrication existants. Trois nouvelles versions viennent s'ajouter à l'EPC2029 80 V : 40 V (EPC2030), 60 V (EPC2031) et 100 V (EPC2032).

Les transistors de puissance à enrichissement EPC2030/31/32 s'ajoutent à la gamme de dispositifs à "pas souple" d'EPC présentant un pas de billes de 1 mm. Le pas plus grand permet le placement de traversées supplémentaires et plus grandes sous le dispositif pour permettre une haute tenue en courant malgré l'empreinte extrêmement compacte de 4,6 mm x 2,6 mm. Par rapport à un transistor de puissance MOSFET silicium de pointe avec résistance à l'état passant similaire, ces produits sont beaucoup plus petits et présentent des performances de commutation plusieurs fois supérieures. Ils conviennent parfaitement aux applications telles que les convertisseurs CC/CC haute fréquence, le redressement synchrone dans les convertisseurs CC/CC et CA/CC, les commandes moteur et l'audio de classe D.