FET GaN EPC2218A et EPC2204A

Les transistors FET GaN d'EPC conviennent à l'électronique automobile et aux systèmes autonomes avancés

Image des transistors FET GaN EPC2218A et EPC2204A d'EPCLes transistors à effet de champ (FET) GaN EPC2218A de 80 V, 3,2 mΩ et courant pulsé de 231 A d'EPC, ainsi que les FET GaN EPC2204A de 80 V, 6 mΩ et courant pulsé de 125 A offrent aux concepteurs une solution nettement plus compacte et efficace que les MOSFET en silicium pour la conversion CC/CC automobile de 48 V à 12 V, l'infodivertissement et le lidar pour la conduite autonome.

Des charges de grille plus faibles (QGD) et l'absence de perte de recouvrement inverse (QRR) permettent un fonctionnement haute fréquence de 1 MHz et au-delà. Associés à un rendement élevé dans une empreinte minuscule, ces facteurs permettent une densité de puissance à la pointe de la technologie.

Applications
  • Conversion CC/CC automobile de 48 V
    • Véhicules électriques semi-hybrides
    • Infodivertissement
  • Lidar automobile
    • Véhicules autonomes
    • Électromobilité

EPC2218A and EPC2204A GaN FETs

ImageRéférence fabricantDescriptionCourant - Drain continu (Id) à 25°CVgs(th) (max.) à IdRds On (max.) à Id, VgsQuantité disponiblePrixAfficher les détails
TRANS GAN 80V .006OHM AECQ101EPC2204ATRANS GAN 80V .006OHM AECQ10129 A (Ta)2,5V à 4mA6mohms à 16A, 5V16611 - Immédiatement$2.95Afficher les détails
TRANS GAN 80V .0032OHM AECQ101EPC2218ATRANS GAN 80V .0032OHM AECQ10160 A (Ta)2,5V à 7mA3,2mohms à 25A, 5V19393 - Immédiatement$4.97Afficher les détails
Date de publication : 2023-01-13