FET GaN EPC2218A et EPC2204A
Les transistors FET GaN d'EPC conviennent à l'électronique automobile et aux systèmes autonomes avancés
Les transistors à effet de champ (FET) GaN EPC2218A de 80 V, 3,2 mΩ et courant pulsé de 231 A d'EPC, ainsi que les FET GaN EPC2204A de 80 V, 6 mΩ et courant pulsé de 125 A offrent aux concepteurs une solution nettement plus compacte et efficace que les MOSFET en silicium pour la conversion CC/CC automobile de 48 V à 12 V, l'infodivertissement et le lidar pour la conduite autonome.
Des charges de grille plus faibles (QGD) et l'absence de perte de recouvrement inverse (QRR) permettent un fonctionnement haute fréquence de 1 MHz et au-delà. Associés à un rendement élevé dans une empreinte minuscule, ces facteurs permettent une densité de puissance à la pointe de la technologie.
- Conversion CC/CC automobile de 48 V
- Véhicules électriques semi-hybrides
- Infodivertissement
- Lidar automobile
- Véhicules autonomes
- Électromobilité
EPC2218A and EPC2204A GaN FETs
Image | Référence fabricant | Description | Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Vgs(th) (max.) à Id | Rds On (max.) à Id, Vgs | Quantité disponible | Prix | Afficher les détails | |
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![]() | ![]() | EPC2204A | TRANS GAN 80V .006OHM AECQ101 | 29 A (Ta) | 2,5V à 4mA | 6mohms à 16A, 5V | 16611 - Immédiatement | $2.95 | Afficher les détails |
![]() | ![]() | EPC2218A | TRANS GAN 80V .0032OHM AECQ101 | 60 A (Ta) | 2,5V à 7mA | 3,2mohms à 25A, 5V | 19393 - Immédiatement | $4.97 | Afficher les détails |