MOSFET IGBT7 TRENCHSTOP™ de 1200 V

Les IGBT TRENCHSTOP^™ de 7^e génération de 1200 V d'Infineon Technologies constituent une référence dans le monde des IGBT discrets et de la technologie des diodes. Cette offre unique propose un portefeuille de dispositifs discrets à courant nominal élevé jusqu'à 140 A, en quatre types de boîtiers différents, avec un paramètre de conduction VCE(sat) inférieur de 50 % par rapport aux générations précédentes et des pertes de commutation jusqu'à 84 % inférieures. Ces dispositifs sont intrinsèquement faciles à concevoir en termes d'interférences électromagnétiques (EMI) et beaucoup plus fiables dans les applications soumises à des conditions difficiles (y compris HV-H3TRB et résistance aux rayons cosmiques). Pour la toute première fois, cette technologie est désormais disponible sur le marché des IGBT discrets de 1200 V. Découvrez la gamme complète qui comprend les séries H7, S7 et T7, avec des performances optimisées pour des applications spécifiques.

Série S7 : La gamme d'IGBT7 S7 TRENCHSTOP de 1200 V représente l'option privilégiée pour toutes les applications industrielles nécessitant une capacité/résistance aux courts-circuits. Le rendement de référence et les composants discrets résistants aux courts-circuits fournissent une tension de saturation inférieure d'au moins 10 % à celle des générations précédentes. Certains dispositifs sont conditionnés avec des diodes EC7 (contrôlées par l'émetteur) très douces à pleine puissance, offrant une saturation de l'IGBT VCE(sat) considérablement réduite et une faible valeur Q_rr. Cette série offre une contrôlabilité supérieure et une robustesse aux courts-circuits, ce qui permet de dépasser les références des dispositifs IGBT traditionnels.

Série H7 : Le dispositif discret co-conditionné avec l'IGBT de 1200 V utilise le modèle IGBT7 H7 TRENCHSTOP combiné avec les technologies de diodes rapides EC7 contrôlées par l'émetteur afin de fournir des performances de conduction et de perte de puissance de commutation spécifiques, les meilleures de leur catégorie, associées à une grande robustesse pour les conditions difficiles, et un portefeuille unique de dispositifs à courant nominal élevé, couvrant 40 A à 140 A dans un boîtier TO-247. Les performances obtenues permettent de répondre aux exigences croissantes des systèmes d'onduleurs industriels modernes à commutation rapide.

Série T7 existante : Cette série de 650 V a été la première conçue avec la dernière technologie de tranchée à micro-motifs qui offre un contrôle et des performances inégalés, ainsi qu'une diode de roue libre qui permet de réduire considérablement les pertes, d'améliorer le rendement et d'augmenter la densité de puissance. Elle a été conçue pour permettre une flexibilité de fréquence de commutation allant de moins de 5 kHz jusqu'à 40 kHz dans une seule solution. Il s'agit d'une alternative unique aux générations précédentes avec des performances améliorées, et optimisée pour les entraînements et les commandes de moteurs industriels.