MOSFET de puissance de qualité automobile OptiMOS™ 7

Le MOSFET de qualité automobile OptiMOS 7 d''Infineon Technologies constitue la technologie MOSFET de nouvelle génération pour les applications automobiles. Il offre un excellent rendement énergétique, des pertes de commutation réduites et une fiabilité accrue pour les applications à courant élevé dans des boîtiers compacts.

L'OptiMOS 7 d'Infineon fournit une technologie MOSFET qui établit une norme en matière de rendement énergétique, de fiabilité et de conception compacte. Cette solution innovante est conçue pour répondre aux exigences strictes des applications automobiles, permettant le développement de véhicules plus efficaces, durables et puissants. Les boîtiers innovants et robustes de cette technologie présentent une empreinte incroyablement réduite, ce qui en fait un choix parfait pour une large gamme de systèmes automobiles, des groupes motopropulseurs électriques aux systèmes avancés d'aide à la conduite (ADAS).

En exploitant les capacités de pointe de l’OptiMOS 7, les constructeurs automobiles peuvent créer des véhicules plus efficaces, plus respectueux de l’environnement et plus rentables qui répondent aux besoins évolutifs de l’industrie. L'OptiMOS 7 est sur le point de jouer un rôle essentiel dans l'avenir du secteur automobile, qu'il s'agisse de véhicules électriques ou hybrides ou de systèmes de conduite autonome.

Fonctionnalités

• Un rendement énergétique inégalé permet le développement de véhicules plus efficaces et durables, réduisant ainsi la consommation d'énergie et les émissions
• Les moindres pertes par commutation minimisent le gaspillage d'énergie, réduisant la production de chaleur et augmentant la fiabilité globale du système
• La plus grande aire de sécurité (SOA) pour les applications à courant élevé permet une conception de système plus robuste et plus fiable, même dans les applications à courant élevé exigeantes
• Des boîtiers innovants et robustes avec une petite empreinte permettent une conception de système compacte, réduisant les besoins en espace et augmentant la flexibilité de conception
• Une excellente valeur R_DS(ON) de 0,39 mΩ offre une résistance à l'état passant ultrafaible, ce qui entraîne de moindres pertes d'énergie et un meilleur rendement du système