Diodes Schottky SiC série DCK

La série DCK de diodes Schottky au carbure de silicium (SiC) d'IXYS, une technologie Littelfuse affiche un courant de recouvrement inverse négligeable, une haute tenue aux pointes d'énergie et une température de jonction de fonctionnement maximum de 175°C.

Les diodes Schottky (SBD) SiC de 650 V (10 A et 20 A) et 1200 V (10 A, 15 A, 20 A, 30 A et 40 A) en boîtiers TO-220-2L, TO-247-2L et TO-247-3L séries DCK d'IXYS, une technologie Littelfuse, sont disponibles dans des configurations à cathode simple et commune. Les SBD SiC de Littelfuse permettent aux systèmes électroniques de puissance d'atteindre un rendement supérieur, des fréquences de commutation plus élevées et une plus grande densité de puissance par rapport aux solutions à base de silicium. Elles sont développées avec des conceptions avancées pour réduire les pertes de puissance tout en maintenant d'excellentes performances de commutation. Cela les rend adaptées aux applications de gestion d'alimentation à haute fréquence et à haut rendement, telles que les alimentations à découpage, les onduleurs solaires, les onduleurs photovoltaïques, la correction du facteur de puissance, les convertisseurs CA/CC et l'entraînement de moteur, et lorsque des améliorations de rendement, de fiabilité et de gestion thermique sont souhaitées.