MOSFET de puissance à mode de déplétion D2™

Les transistors de puissance MOSFET à mode de déplétion D2™ d'IXYS/Littelfuse présentent des caractéristiques uniques ne pouvant pas être reproduites par leurs homologues à mode d'enrichissement fréquemment utilisés. Contrairement au type à mode d'enrichissement à canal N courant, les transistors de puissance MOSFET à mode de déplétion nécessitent une polarisation de grille nulle pour la mise sous tension et une polarisation de grille négative pour la mise hors tension, mais ils présentent sinon des caractéristiques similaires. Le mode de fonctionnement normalement actif de ces dispositifs, associé à une capacité de fonctionnement linéaire améliorée, permet une sélection de dispositif idéale dans les sources de courant, les régulateurs de courant, les relais statiques, le décalage de niveau, les charges actives, les circuits de démarrage et les filtres de puissance actifs.

Ces dispositifs sont disponibles avec des tensions de blocage comprises entre 500 V et 1000 V, une résistance à l'état passant (Rdson) de seulement 500 mΩ (max.) et un courant de drain nominal jusqu'à 6 A. Ils peuvent fournir une commande simplifiée et une dissipation de tension secteur réduite lorsqu'ils sont utilisés pour l'interface de ligne dans les applications autonomes. Étant donné que ces dispositifs ne nécessitent aucune tension de grille ou d'énergie pour la mise sous tension, un rendement énergétique élevé peut être atteint par la mise en œuvre de dispositifs dans les applications de commutation de charge « normalement actives » à puissance nulle. Grâce au degré élevé de régulation de courant, ces dispositifs peuvent également servir d'inductances actives avec une haute impédance dynamique dans les applications de filtre de puissance afin de limiter la tension, les pointes de courant et le bruit en courant. En outre, ces dispositifs peuvent offrir une protection des circuits active afin de limiter les surtensions transitoires de courant en cas de courts-circuits ou de conditions de surcharge.