Circuit intégré d'attaque de grille IXD2012N
Les circuits intégrés d'attaque de grille d'IXYS/Littelfuse prennent en charge le fonctionnement des circuits d'attaque haut potentiel flottants jusqu'à 600 V
 Le dispositif IXD2012N d'IXYS/Littelfuse est un circuit intégré d'attaque de grille hautes performances, conçu pour un contrôle efficace des transistors de puissance dans diverses applications. Ce composant fait partie de la série de circuits d'attaque haut potentiel et bas potentiel de Littelfuse, qui offre des fonctionnalités robustes adaptées aux environnements exigeants.
Le dispositif IXD2012N d'IXYS/Littelfuse est un circuit intégré d'attaque de grille hautes performances, conçu pour un contrôle efficace des transistors de puissance dans diverses applications. Ce composant fait partie de la série de circuits d'attaque haut potentiel et bas potentiel de Littelfuse, qui offre des fonctionnalités robustes adaptées aux environnements exigeants.
- Tenue haute tension : prend en charge le fonctionnement du circuit d'attaque haut potentiel flottant jusqu'à 600 V, permettant une fonctionnalité d'amorçage (bootstrap) pour les applications haute tension
- Courant de sortie : fournit un courant de sortie de crête de 1,4 A, adapté à la commande de dispositifs IGBT et MOSFET
- Large plage de tensions de fonctionnement : fonctionne sur une plage VCC comprise entre 10 V et 20 V, ce qui permet de répondre à diverses exigences du système
- Fonctionnalités de protection :
    - Verrouillage en cas de sous-tension (UVLO) pour éviter tout dysfonctionnement lorsque la tension d'alimentation est faible
- Protection contre le courant « shoot-through » pour éviter la conduction simultanée des transistors haut potentiel et bas potentiel
 
- Compatibilité logique : les entrées sont compatibles avec les niveaux logiques de 3,3 V, ce qui facilite l'intégration avec les microcontrôleurs modernes
- Immunité aux transitoires : les sorties sont tolérantes aux transitoires négatifs, améliorant ainsi la fiabilité dans les environnements bruyants
- Plage de températures : fonctionne de manière fiable entre -40°C et +125°C, ce qui convient aux applications industrielles et automobiles
- Options de conditionnement : disponibles dans des boîtiers SOIC-8 standard, garantissant une intégration aisée dans les conceptions existantes
- Onduleurs CA/CC
- Systèmes de commande de servomoteurs
- Alimentations secourues (UPS)
- Amplificateurs audio de classe D
- Contrôleurs de pompe à carburant et à eau
- Appareils de cuisson et de chauffage par induction
IXD2012N Gate Driver IC
| Image | Référence fabricant | Description | Configuration | Type de canal | Quantité disponible | Prix | Afficher les détails | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  |  | IXD2012NTR  | Half-Bridge Driver 200V 1.4A SO | Demi-pont | Indépendant | 2500 - Immédiatement 50000 - Stock usine | $0.68 | Afficher les détails | 
 
                 
                 
                 
 
 
 
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