MOSFET de puissance de classe X4 IXTN500N20X4/IXTN400N20X4

Le principe de compensation de charge et la technologie de processus exclusive utilisés dans le développement des dispositifs IXTN500N20X4 et IXTN400N20X4 d'IXYS produisent des MOSFET de puissance avec une résistance R_DS(ON) et une charge de grille Q_g nettement inférieures. La faible résistance à l’état passant minimise les pertes par commutation, en diminuant l’énergie contenue dans la capacité de sortie, et en réduisant les pertes par conduction. Une faible charge de grille réduit les besoins en entraînement de grille et augmente le rendement à faibles charges. Ces MOSFET ont également de meilleures performances dv/dt et un courant d'avalanche. Ils peuvent être utilisés en parallèle pour répondre à des besoins en courant plus élevés, en raison du coefficient de température positif de leur résistance à l'état passant.