MOSFET de puissance discrets à ultra-jonction de classe X4 IXTx60N20X4

Les MOSFET de puissance de 200 V d'Littelfuse permettent aux concepteurs d'obtenir un rendement plus élevé et une densité de puissance accrue

Image des MOSFET de puissance discrets IXTx60N20X4 à ultra-jonction de classe X4 d'IXYS/Littelfuse Le MOSFET à ultra-jonction de 200 V de classe X4 d'Littelfuse est disponible avec un courant nominal de 60 A en boîtiers TO-263, TO-220 et TO-247. Ces MOSFET de puissance présentent une résistance de canal RDS(ON) réduite. La classe X4 se caractérise par une réduction significative du facteur de mérite (FOM) RDS(ON) x Qg par rapport à son prédécesseur de classe X3. Ces avantages permettent aux concepteurs d'atteindre un rendement plus élevé et une densité de puissance accrue.

Fonctionnalités et avantages
  • Faibles pertes statiques : conception thermique simplifiée
  • Charge de grille réduite : circuit d'attaque simplifié - réduction de l'effort de conception
  • Tenue en énergie d'avalanche élevée : grande robustesse contre les surtensions avec une fiabilité accrue dans l'application
Marchés et applications
  • Commande de moteurs dans les systèmes basse tension (48 V à 110 V)
  • Convertisseurs CC/CC basse tension
  • Systèmes résidentiels de stockage d'énergie par batterie basse tension
  • Alimentations à découpage basse tension pour les applications de télécommunications et de serveurs
  • Chariots élévateurs et voiturettes de golf électriques à batterie

IXTx60N20X4 Ultra Junction X4-Class Discrete Power MOSFETs

ImageRéférence fabricantDescriptionQuantité disponiblePrixAfficher les détails
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Date de publication : 2022-06-21