IXYS

MOSFET de puissance à canal P PolarP™ série IXTY2P50PA

Le MOSFET avec qualification AEC-Q101 d'IXYS présente de faibles pertes par conduction et d'excellentes performances de commutation

Image du MOSFET de puissance à canal P PolarP™ série IXTY2P50PA d'IXYSLe dispositif IXTY2P50PA d'IXYS est un MOSFET de puissance à canal P en mode d'enrichissement PolarP™, de -500 V, -2 A, avec qualification AEC-Q101 et PPAP, en boîtier TO-252 (DPAK). Il utilise la plateforme technologique Polar, ce qui se traduit par une réduction significative de la résistance à l'état passant (RDS(ON), max. = 4,2 Ω) et de la charge de grille (Qg = 11,9 nC). Le MOSFET à canal P présente de faibles pertes par conduction et d'excellentes performances de commutation, tandis que ses caractéristiques dv/dt et d'avalanche le rendent extrêmement robuste dans les applications et les environnements d'exploitation exigeants.

Fonctionnalités
  • Simplification des processus d'homologation et de certification
  • Conception thermique simplifiée
  • Pertes minimales au niveau du circuit d'attaque
  • Fiabilité améliorée
  • Gains d'espace sur le circuit imprimé

IXTY2P50PA Series PolarP™ P-Channel Power MOSFET

ImageRéférence fabricantDescriptionType de FETTechnologiesTension drain-source (Vdss)Quantité disponiblePrixAfficher les détails
AUTOMOTIVE GRADE POLARPTM P-CHANIXTY2P50PAAUTOMOTIVE GRADE POLARPTM P-CHANCanal PMOSFET (oxyde métallique)500 V735 - Immédiatement$3.97Afficher les détails
Date de publication : 2024-01-11