MOSFET de puissance HiPerFET™ 200 V de classe X3 à ultra-jonction

Les MOSFET HiPerFET™ à ultra-jonction de classe X3 de 200 V d'IXYS Corporation/Littelfuse présentent des courants nominaux allant de 36 A à 300 A. Un large choix de dispositifs est disponible dans différents boîtiers aux normes internationales.

Fabriqués selon un principe de compensation de charge et conformément à la technologie de processus propre à IXYS/Littelfuse, ces MOSFET présentent les résistances à l'état passant les plus faibles de l'industrie actuellement (3,5 mΩ dans le boîtier SOT-227 et 4 mΩ dans le TO-264, par exemple). Avec des charges de grille de seulement 21 nanocoulombs, ces dispositifs permettent des densités de puissance élevées et un rendement énergétique dans une grande variété d'applications de conversion d'énergie à haute vitesse.

Les diodes de substrat rapides des dispositifs sont optimisées et présentent un temps et une charge de recouvrement inverse réduits, supprimant ainsi les transitoires et permettant une commutation de puissance à faible bruit et haut rendement. En outre, ces MOSFET résistent aux avalanches et affichent des performances dv/dt supérieures (jusqu'à 20 V/ns).

Parmi les applications ciblées figurent le redressement synchrone, les chargeurs de batteries pour les véhicules électriques légers (LEV), la commande de moteur (systèmes de 48 V à 110 V), les convertisseurs CC/CC, les alimentations secourues, les chariots élévateurs électriques, les onduleurs, les relais de puissance à semi-conducteurs et les amplificateurs audio de classe D.