Matrices de diodes TVS série SP1255 12 kV μUSB

Les matrices de diodes TVS SP1255P de Littelfuse offrent une protection supérieure contre les décharges électrostatiques pour les applications à fort courant

Image de la matrice de diodes TVS SP1255 de LittelfuseLes matrices de diodes TVS série SP1255P basse capacité et avec protection contre les décharges électrostatiques (diodes SPA®) de Littelfuse offrent une protection supérieure contre les décharges électrostatiques pour les applications à fort courant, telles que les périphériques à charge rapide ou PoweredUSB. Elles intègrent trois canaux de diodes de forçage de très faible capacité avec une diode TVS de faible tension afin de fournir une protection maximale contre les décharges électrostatiques des données USB et des broches ID. Avec une résistance dynamique de seulement 0,3 Ω, elles fournissent des tensions de blocage jusqu'à 23 % inférieures à celles des solutions silicium similaires. Un dispositif de protection contre les forts courants de pointe avec une tension de fonctionnement de 12 V est dédié à la protection VBUS contre les phénomènes transitoires rapides induits par la foudre sur la ligne USB VBUS jusqu'à 100 A. Les applications types incluent la protection contre les décharges électrostatiques pour les smartphones, les tablettes et autres appareils électroniques portables.

Fonctionnalités
 
  • Faible résistance dynamique de la ligne de données de 0,3 Ω
  • Protection contre les décharges électrostatiques des courants de crête de 100 A pour la ligne VBUS
  • Protection contre le courant de crête de 4 A pour la broche de données USB
  • Homologation AEC-Q101
  • Boîtier µDFN-6 à format compact (1,8 mm x 2,0 mm x 0,55 mm) permettant un routage direct
Image du livre électronique de matrices de diodes TVS de Littelfuse
 

Lien vers le microsite : Gamme SPA de matrices de diodes TVS

Lien vers le module de formation sur le produit (PTM) : Matrices de diodes TVS - Suppresseurs DES pour interfaces E/S

Matrice de diodes TVS de Littelfuse
(Format PDF)   (Format eBook)
Avantages
  • Fournit des tensions de blocage jusqu'à 23 % inférieures à celles des solutions silicium similaires afin d'offrir une protection supérieure pour les applications à fort courant, telles que les périphériques à charge rapide
  • Permet aux fabricants de faire valoir une protection DES supérieure au niveau maximal défini par la norme CEI et offre une protection contre de multiples menaces afin de garantir la fiabilité des produits sur le terrain
  • Permet aux pistes de circuit imprimé d'être placées sous le dispositif, sans avoir recours à des dérivations, qui pourraient entraîner une dégradation du signal
  • Qualité de grade automobile garantissant une fiabilité maximale dans les environnements les plus rudes

TVS Diode

ImageRéférence fabricantDescriptionTension - Sécurité inverse (typ.)Quantité disponiblePrixAfficher les détails
TVS DIODE 4VWM 8.5VC 6UDFNSP1255PUTGTVS DIODE 4VWM 8.5VC 6UDFN4V (maxi)0 - Immédiatement$0.79Afficher les détails
Date de publication : 2015-11-20