Diodes PIN haute puissance, 50 MHz à 12 GHz, MADP-011029-14150T

La diode PIN MADP-011029-14150T de MACOM présente une structure shunt large bande LPF à trois bornes

Image de la diode PIN haute puissance de MacomLa diode PIN haute puissance MADP-011029 de MACOM, en boîtier DFN en plastique à 6 broches de 1,5 mm x 1,2 mm, sans plomb et à montage en surface, offre un fonctionnement à haute et basse fréquence de signal de 50 MHz à 12 GHz. La tension de claquage plus élevée et la résistance thermique plus faible de la diode PIN offrent une tenue en puissance de crête de plus de 100 W. Ce dispositif est parfaitement adapté pour une utilisation dans les commutateurs à puissance incidente plus élevée, les dispositifs de décalage de phase, les atténuateurs et les circuits hyperfréquences limiteurs sur une vaste plage de fréquences où des assemblages de diodes à montage en surface à plus hautes performances sont requis.

Fonctionnalités Schéma fonctionnel
  • Structure shunt large bande LPF à trois bornes
  • Fréquence large bande de 50 MHz à 12 GHz
  • Tenue en puissance de crête > 100 W
  • Compatibilité avec refusion à 260°C et conformité à RoHS
  • Isolement shunt > 25 dB
  • Perte d'insertion shunt < 0,1 dB
  • Résistance thermique < 20°C/W
  • Boîtier TDFN sans plomb à 6 broches de 1,5 mm x 1,2 mm
Image de la diode PIN haute puissance de Macom

High-Power PIN Diode

ImageRéférence fabricantDescriptionCourant - Max.Quantité disponiblePrixAfficher les détails
RF DIODE PIN 400V 7.5W 6TDFNMADP-011029-14150TRF DIODE PIN 400V 7.5W 6TDFN250 mA4504 - Immédiatement$3.33Afficher les détails
Date de publication : 2017-03-31