MOSFET à technologie de grille divisée

Les MOSFET à technologie de grille divisée de MCC sont adaptés aux applications exigeant des économies d'espace et un haut rendement

Image des MosFET à technologie de grille divisée de MCCLes MOSFET à technologie de grille divisée de Micro Commercial Components offrent une valeur RDS(on) extrêmement faible, et ils permettent une densité de courant plus élevée dans des boîtiers plus petits. Cela les rend adaptés aux applications exigeant des économies d'espace et un haut rendement.

Avantages de la grille divisée
  • BVDSS plus élevé
  • Une plus grande valeur N dans la région de dérive minimise RDS(on)
  • QGD plus faible, ce qui réduit le transfert de charge de Miller
  • Le FOM amélioré réduit les pertes de commutation et de conduction
  • L'offre actuelle du portefeuille SGT s'étend de 30 V à 150 V nominal, et la valeur RDS(on) descend jusqu'à 1,5 mΩ dans les boîtiers communs
Fonctionnalités et avantages
  • Large portefeuille de MOSFET LV
  • Faible valeur RSP (résistance spécifique à l'état passant)
  • Haut rendement
  • Haute qualité
  • Livraison rapide

Split-Gate Technology MOSFET's

ImageRéférence fabricantDescriptionQuantité disponiblePrixAfficher les détails
MOSFET N-CH 100 80A DFN5060MCAC80N10Y-TPMOSFET N-CH 100 80A DFN506020485 - Immédiatement$2.18Afficher les détails
MOSFET N-CH 60 30A DFN5060MCAC30N06Y-TPMOSFET N-CH 60 30A DFN50604 - Immédiatement$0.94Afficher les détails
MOSFET N-CH 100 50A DFN5060MCAC50N10Y-TPMOSFET N-CH 100 50A DFN50605297 - Immédiatement$1.97Afficher les détails
MOSFET P-CH 60V 60A DPAKMCU60P06-TPMOSFET P-CH 60V 60A DPAK14768 - Immédiatement$2.56Afficher les détails
Date de publication : 2020-05-22