Diodes Schottky SiC nouvelle génération

Microsemi annonce le lancement des produits de diodes Schottky au carbure de silicium (SiC) de 1200 V, 10 A et 20 A, avec des diodes SiC de 30 A et 50 A prochainement disponibles. Avec des caractéristiques UIS/d'énergie d'avalanche 20 % supérieures par rapport aux concurrents SiC, une robustesse élevée aux courants de pointe répétitifs et des avantages de coûts système et de rendement SiC inhérents par rapport aux diodes Si, les diodes SiC de Microsemi sont idéales pour les applications d'électrification comme le redressement de sortie et PFC dans les modules de stations de charge de véhicules électriques et hybrides haute tension, les chargeurs intégrés, les convertisseurs CC/CC, les systèmes de récupération d'énergie et les alimentations à découpage.

Avantages des diodes Schottky SiC par rapport aux diodes Si

• Rendement à plus haute tension (> 650 V) et à plus haute fréquence de commutation
• Plus faible tension directe (V_F) pour pertes statiques inférieures et rendement énergétique supérieur
• Faibles interférences électromagnétiques de charge de recouvrement inverse (Q_rr) quasi nulle lors de la commutation dure
• Fonctionnement stable à plus haute température (175°C)
• Le rendement système avec sortie de puissance de plus de 25 % augmente pour les mêmes dimensions physiques et des coûts inférieurs (composants magnétiques plus petits, filtrage inférieur, coûts de refroidissement/de dissipation thermique inférieurs, etc.)