Peraso

Mémoire QUAZAR™ QPR4™ 576 Mo et QPR8™ 1 Go

Gamme Peraso 576 Mo ou 1 Go à taux de partition quadruple pour remplacements économiques, hautes performances et de plus grande capacité de dispositifs QDR

Image du circuit intégré de mémoire QUAZAR QPR4 de MoSysLa gamme de mémoires QUAZAR de Peraso est constituée de circuits intégrés haute capacité à mémoire haute vitesse, prenant en charge une bande passante élevée jusqu'à 640 Gb/s ainsi que des taux d'accès aléatoire rapides. Ces taux plus élevés aident à résoudre les problèmes critiques d'accès à la mémoire pour les applications où la mémoire constitue un goulot d'étranglement, telles que la recherche de réseaux en tableaux, la mise en mémoire tampon, la vidéo 8k, la sécurité et le pare-feu, les statistiques, la détection d'anomalies, l'IA, l'IoT et la génomique.

Cette mémoire à taux de partition quadruple est spécialement conçue pour prendre en charge la prochaine génération d'applications de mémoire à accès aléatoire haute vitesse, faible latence, et très large bande passante. Ces dispositifs QPR présentent 576 Mo et 1 Go de mémoire, offrant 4 x et 8 x la capacité des dispositifs SRAM QDR les plus courants.

Chaque dispositif SRAM QUAZAR dispose de deux modes de fonctionnement sélectionnables par l'utilisateur. Le mode détermine combien de SRAM à accès aléatoire autonomes sont disponibles sur le dispositif.

  • Le mode profond possède quatre SRAM indépendantes
  • Le mode large possède huit SRAM indépendantes

Ces dispositifs sont également compatibles avec les broches de la gamme de dispositifs Bandwidth Engine BLAZAR de Peraso. Les mémoires SRAM QUAZAR prennent en charge les accélérations FPGA par connexion directe à des FPGA Xilinx et Intel. Les dispositifs QPR4 sont disponibles dans un boîtier FCBGA 19 mm x 19 mm, tandis que les dispositifs QPR8 sont disponibles dans un boîtier FCBGA 27 mm x 27 mm.

Fonctionnalités
  • Un seul dispositif remplace plusieurs pièces QDR
    • 4 x à 8 x la capacité d'un QDR
      • QPR4 : 576 Mo de mémoire
      • QPR8 : 1 Go de mémoire
  • Bande passante jusqu'à 640 Gb/s
  • Performances de type QDR pour moins de la moitié ou d'un quart de la configuration de mémoire QDR similaire
  • tRC de 2,6 ns et 3,2 ns
  • Seulement 32 broches nécessaires pour se connecter à un FPGA, simplifiant le routage du signal de la carte
    • Protocole série hautement efficace
 
  • Connexion directe aux FPGA Intel (Altera) et Xilinx
  • Contrôleur de mémoire RTL FPGA fourni par Peraso
    • Largeur de mot jusqu'à x 576 b
  • Jusqu'à 3 milliards (QPR4) et 5 milliards (QPR8) de transactions par seconde
  • Deux ports E/S série (A et B) pour l'accès aléatoire
  • Quatre partitions indépendantes par port E/S
    • Chaque partition fonctionne comme une SRAM à accès autonome
  • Disponible dans un boîtier FCBGA (QPR4) de 19 mm x 19 mm et FCBGA (QPR8) de 27 mm x 27 mm
Applications
  • Remplacement parfait pour QDR
  • Accélération FPGA pour Xilinx et Intel
  • Applications à vitesse plus faible nécessitant une capacité plus élevée, dispositif unique utilisant désormais des SyncSRAM
 
  • SRAM à haute capacité et haute vitesse
  • Vidéo 8k
  • Sécurité et pare-feu

Ressources

Image de la bannière relative aux échantillons de mémoire SRAM QUAZAR de MoSys

QUAZAR™ QPR4™ 576 Mb and QPR8™ 1 Gb Memory

ImageRéférence fabricantDescriptionQuantité disponiblePrixAfficher les détails
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Date de publication : 2020-08-18

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